[发明专利]RF MEMS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种RF MEMS器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底的一侧设有集成电路；

第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘间隔设置，所述第一焊盘和所述第二焊盘设在所述集成电路远离所述衬底一侧的表面；

第一金属块和第二金属块，所述第一金属块设在所述第一焊盘上，所述第二金属块设在所述第二焊盘上；

绝缘层，所述绝缘层设在所述集成电路远离所述衬底一侧的表面，并且包覆所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第一金属块和所述第二金属块，并且所述第一金属块和所述第二金属块远离所述衬底一侧的表面未被所述绝缘层包覆；

第一布线结构和第二布线结构，所述第一布线结构和所述第二布线结构均设置在所述绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第一布线结构与所述第一金属块电连接，所述第二布线结构与所述第二金属块电连接；

MEMS器件，所述第一布线结构和所述第二布线结构中的至少一个与所述MEMS器件电连接。

2.根据权利要求1所述的RF MEMS器件，其特征在于，所述集成电路包括驱动电路和微波集成电路中的至少之一。

3.根据权利要求1或2所述的RF MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括MEMS开关、滤波器、电容和电感中的至少之一。

4.根据权利要求1所述的RF MEMS器件，其特征在于，所述第一金属块、所述第二金属块的高度彼此独立地为20-200微米。

5.根据权利要求1所述的RF MEMS器件，其特征在于，所述绝缘层的厚度为20-200微米。

6.根据权利要求1所述的RF MEMS器件，其特征在于，所述第一金属块在所述衬底上的正投影面积小于所述第一焊盘在所述衬底上的正投影面积；

所述第二金属块在所述衬底上的正投影面积小于所述第二焊盘在所述衬底上的正投影面积。

7.一种制备权利要求1-6中任一项所述的RF MEMS器件的方法，其特征在于，包括：

(1)在衬底的一侧形成集成电路；

(2)在所述集成电路远离所述衬底的一侧形成第一焊盘和第二焊盘；

(3)在所述第一焊盘远离所述衬底的一侧形成第一金属块，在所述第二焊盘远离所述衬底的一侧形成第二金属块；

(4)形成绝缘层，所述绝缘层设在所述集成电路远离所述衬底一侧的表面，并且包覆所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第一金属块和所述第二金属块，并且所述第一金属块和所述第二金属块远离所述衬底一侧的表面与所述绝缘层远离所述衬底一侧的表面平齐；

(5)在所述第一金属块远离所述第一焊盘的一侧形成第一布线结构，在所述第二金属块远离所述第二焊盘的一侧形成第二布线结构；

(6)在所述第一布线结构或所述第二布线结构远离所述衬底的一侧形成MEMS器件。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤(3)采用下列步骤进行：

(3-1)在所述集成电路远离所述衬底的一侧形成胶层，所述胶层包覆所述第一焊盘和所述第二焊盘；

(3-2)对所述胶层进行刻蚀，形成贯穿的第一刻蚀孔和第二刻蚀孔，所述第一刻蚀孔位于所述第一焊盘远离所述衬底的一侧，所述第二刻蚀孔位于所述第二焊盘远离所述衬底的一侧；

(3-3)在所述第一刻蚀孔内填充金属，形成第一金属块，在所述第二刻蚀孔内填充金属，形成第二金属块；

(3-4)去除所述胶层。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤(4)采用下列步骤进行：

(4-1)在所述集成电路远离所述衬底的一侧形成绝缘涂层，所述绝缘涂层包覆所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第一金属块和所述第二金属块，所述第一金属块和所述第二金属块远离所述衬底一侧的表面设有绝缘涂层；

(4-2)对所述绝缘涂层进行抛光平整化处理，形成绝缘层，所述第一金属块和所述第二金属块远离所述衬底一侧的表面与所述绝缘层远离所述衬底一侧的表面平齐。