[发明专利]半导体装置

说明书

本公开涉及一种半导体装置，其中，一或多个主动区结构各自在垂直方向中垂直地向外凸出基板，并在第一水平方向中水平延伸。源极/漏极构件在垂直方向中位于主动区结构上。源极/漏极接点在垂直方向中位于源极/漏极构件上。源极/漏极接点包括底部与顶部。保护衬垫层位于源极/漏极接点的顶部的侧表面上，但不位于源极/漏极接点的底部的侧表面上。

技术领域

本发明实施例一般关于半导体装置，特别关于场效晶体管如平面场效晶体管、三维鳍状场效晶体管、或全绕式栅极装置。

背景技术

半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺一般有利于增加产能并降低相关成本。尺寸缩小亦会增加处理与制造集成电路的复杂度。

举例来说，随着半导体装置持续缩小，栅极接点与附近的源极/漏极接点之间可能更容易发生桥接(如电性短路)。不幸的是，避免这些桥接问题的现有方法可能会增加电阻及/或缩小源极/漏极外延着陆区。如此一来，会劣化装置效能。

虽然制作半导体装置的现有方法通常适用，但无法符合所有方面的需求。

发明内容

本发明一实施例关于半导体装置。半导体装置包括一或多个主动区结构，各自在垂直方向中垂直地向外凸出基板，并在第一水平方向中水平延伸。半导体装置包括源极/漏极构件，在垂直方向中位于主动区结构上。半导体装置包括源极/漏极接点，在垂直方向中位于源极/漏极构件上。源极/漏极接点包括底部与顶部。半导体装置包括保护衬垫层，位于源极/漏极接点的顶部的侧表面上，但不位于源极/漏极接点的底部的侧表面上。

本发明另一实施例关于半导体装置。半导体装置包括一或多个鳍状结构，各自在垂直方向中垂直地凸出基板并在第一水平方向中水平延伸。半导体装置包括外延源极/漏极，在垂直方向中位于鳍状结构上。半导体装置包括源极/漏极接点，在垂直方向中位于外延源极/漏极上。源极/漏极接点包括上侧部分与下侧部分。在垂直方向与垂直于第一水平方向的第二水平方向所定义的剖面中，下侧部分具有斜向轮廓且最大宽度大于上侧部分的最大宽度。

本发明又一实施例关于半导体装置的形成方法。提供集成电路装置，其包括主动区、源极/漏极构件形成于主动区上、栅极结构形成于主动区上并与源极/漏极构件相邻、以及层间介电层形成于源极/漏极构件上。蚀刻开口于源极/漏极构件上。开口部分地延伸穿过层间介电层但不露出源极/漏极构件的上侧表面。形成保护衬垫层于开口的侧壁上。移除源极/漏极构件的上侧表面上的层间介电层的保留部分，以露出源极/漏极构件的上侧表面。形成源极/漏极接点于开口中。形成栅极接点于栅极结构上。

附图说明

图1A是本发明多种实施例中，鳍状场效晶体管形式的集成电路装置的透视图。

图1B是本发明多种实施例中，鳍状场效晶体管形式的集成电路装置的平面上视图。

图1C是本发明多种实施例中，全绕式栅极装置形式的集成电路装置的透视图。

图2A至8A是本发明多种实施例中，集成电路装置在多种制作阶段的X剖面的剖视图。

图2B至8B是本发明多种实施例中，集成电路装置在多种制作阶段的Y剖面的剖视图。

图2C至8C是本发明多种实施例中，集成电路装置在多种制作阶段的平面上视图。

图9是本发明多种实施例中，静态随机存取存储器单元的电路图。

图10是本发明多种实施例中，制造系统的方框图。

图11是本发明多种实施例中，制作半导体装置的方法的流程图。

附图标记说明：