[发明专利]一种碳化硅智能功率模组

权利要求书

1.一种碳化硅智能功率模组，其特征在于，包括：

基板、引脚框架、碳化硅功率模组以及用于驱动所述碳化硅功率模组的驱动芯片组；所述引脚框架的局部设置在所述基板上，所述碳化硅功率模组设置在所述基板或所述引脚框架上；

所述驱动芯片组包括输入级芯片、隔离变压器芯片以及输出级芯片；所述输入级芯片、所述隔离变压器芯片以及所述输出级芯片分开设置在所述基板或所述引脚框架上；

所述输入级芯片用于对接收到的输入信号进行处理和保护；

所述隔离变压器芯片连接于所述输入级芯片和所述输出级芯片之间，用于对处理后的信号进行高压隔离，并将高压隔离后的信号传输给所述输出级芯片；

所述输出级芯片的输出端口与所述碳化硅功率模组电连接，用于驱动所述碳化硅功率模组。

2.根据权利要求1所述的碳化硅智能功率模组，其特征在于，所述输入级芯片包括输入端口保护电路、斯密特电路、第一滤波电路、死区时间和互锁电路、第一控制电路、调制电路、过流检测和保护电路以及故障反馈电路；

所述输入端口保护电路用于对接收到的输入信号提供静电保护；

所述斯密特电路连接于所述输入端口保护电路与所述第一滤波电路之间，用于信号整形；

所述第一滤波电路的输出端口与所述死区时间和互锁电路的输入端口电连接，用于信号滤波；

所述死区时间和互锁电路的输出端口与所述第一控制电路的输入端口电连接，用于死区时间控制；

所述第一控制电路的输出端口与所述调制电路的输出端口电连接，用于信号处理控制；

所述调制电路的输出端口与所述隔离变压器芯片的输入端口电连接，用于信号调制输出；

所述过流检测和保护电路的输入端口与所述输入端口保护电路的输出端口电连接，所述过流检测和保护电路的输出端口与所述第一滤波电路的输入端口电连接，用于过流检测和保护；

所述故障反馈电路的输入端口与所述第一滤波电路的输出端口电连接，所述故障反馈电路的输出端口与所述第一控制电路电连接，用于故障检测。

3.根据权利要求1所述的碳化硅智能功率模组，其特征在于，所述输出级芯片包括解调电路、第二滤波电路、欠压保护电路、第二控制电路以及驱动和死区电路；

所述解调电路的输入端口与所述隔离变压器芯片的输出端口电连接，用于信号解调；

所述第二滤波电路的输入端口电连接所述解调电路的输出端口，所述第二滤波电路的输出端口与所述第二控制电路的第一输入端口电连接，用于对解调后的信号进行滤波；

所述欠压保护电路的输入端口与外置隔离电源电连接，所述欠压保护电路的输出端口与所述第二控制电路的第二输入端口电连接，用于电路欠压保护；

所述第二控制电路的输出端口与所述驱动和死区电路的第一输入端口电连接，用于信号处理和控制；

所述驱动和死区电路的第二输入端口与所述外置隔离电源电连接，所述驱动和死区电路的输出端口与所述碳化硅功率模组的输入端口电连接，用于驱动碳化硅功率模组。

4.根据权利要求3所述的碳化硅智能功率模组，其特征在于，所述输出级芯片还包括：第一输出NMOS管、第二输出NMOS管、第一集成驱动电阻以及第二集成驱动电阻；

所述第一输出NMOS管的栅极与所述驱动和死区电路的第三输入端口电连接，所述第一输出NMOS管的漏极与所述外置隔离电源电连接，所述第一输出NMOS管的源极与所述第一集成驱动电阻的一端电连接，所述第一集成驱动电阻的另一端与所述驱动和死区电路的输出端口电连接；

所述第二输出NMOS管的栅极与所述驱动和死区电路的第四输入端口电连接，所述第二输出NMOS管的漏极与所述外置隔离电源电连接，所述第二输出NMOS管的源极与所述第二集成驱动电阻的一端电连接，所述第二集成驱动电阻的另一端与所述驱动和死区电路的输出端口电连接。

5.根据权利要求1所述的碳化硅智能功率模组，其特征在于，所述碳化硅功率模组包括第一碳化硅MOS管以及与所述碳化硅MOS管反并联的第一碳化硅特基二极管，所述第一碳化硅MOS管的漏极与所述第一碳化硅特基二极管的阴极电连接，所述第一碳化硅MOS管的源极与所述第一碳化硅特基二极管的阳极电连接，所述第一碳化硅MOS管的栅极与所述输出级芯片的输出端口电连接。