[发明专利]一种多基岛大功率模组QFN的封装结构

说明书

本发明公开了一种多基岛大功率模组QFN的封装结构，包括：引线框架主体，所述引线框架主体上设有至少四个基岛，第一基岛上设置有IC芯片，第二基岛和第三基岛上分别设置有氮化镓芯片，第四基岛上用于承载打线需求，并将大功率信号引出。设置至少四个基岛，将一个IC芯片和两个氮化镓芯片封装在一起，实现了各芯片的功能，并可实现大功率模组的功能，确保了制造的可行性。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，更具体地说，本发明涉及一种多基岛大功率模组QFN的封装结构。

背景技术

QFN(Quad Flat No-leads Package，方形扁平无引脚封装)，表面贴装型封装之一，QFN是日本电子机械工业会规定的名称；封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积小，高度低；QFN封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘；目前QFN的封装结构多是单基岛或双基岛，来实现封装功能，很难实现大功率模组的功能。因此，有必要提出一种多基岛大功率模组QFN的封装结构，以至少部分地解决现有技术中存在的问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为至少部分地解决上述问题，本发明提供了一种多基岛大功率模组QFN的封装结构，包括：引线框架主体，所述引线框架主体上设有至少四个基岛，第一基岛上设置有IC芯片，第二基岛和第三基岛上分别设置有氮化镓芯片，第四基岛上用于承载打线需求，并将大功率信号引出。

优选的是，所述IC芯片远离所述第一基岛的一面高于所述氮化镓芯片远离所述第二基岛的一面设置。

优选的是，所述引线框架主体通过塑封体进行塑封，所述四个基岛的散热面外露于所述塑封体。

优选的是，所述第一基岛靠近所述引线框架主体的边部的至少一侧设有多个第一引脚，多个所述第一引脚与所述第一基岛上设置的IC芯片或者与所述第二基岛上设置的氮化镓芯片通过引线实现电连接，所述第一引脚远离所述IC芯片的底面和侧面外露于用于封装引线框架主体的塑封体。

优选的是，所述第二基岛靠近所述引线框架主体的边部的至少一侧设有多个第二引脚，所述第二引脚与所述第二基岛连接，所述第二引脚远离所述氮化镓芯片的底面和侧面外露于用于封装引线框架主体的塑封体。

优选的是，所述第三基岛靠近所述引线框架主体的边部的至少一侧设有多个第三引脚，所述第三引脚与所述第三基岛连接，所述第三引脚远离所述氮化镓芯片的底面和侧面外露于用于封装引线框架主体的塑封体；

所述第三基岛上还设有用于承载引线的打线区域，所述打线区域通过引线与所述第二基岛上设有的氮化镓芯片电连接。

优选的是，所述第四基岛通过引线与所述IC芯片和氮化镓芯片实现电连接，所述第四基岛靠近所述引线框架主体的边部的至少一侧设有多个第四引脚，所述第四引脚与所述第四基岛连接，所述第四基岛靠近所述引线框架主体的边部的一侧还设有多个第五引脚，所述第五引脚与所述第四基岛分离，所述第四引脚和第五引脚远离所述氮化镓芯片的底面和侧面外露于用于封装引线框架主体的塑封体，通过所述第四引脚和第五引脚将大功率信号引出。

优选的是，所述第一基岛设置IC芯片的一面上设有胶槽，所述胶槽的尺寸与所述IC芯片的尺寸一致，所述胶槽内填充有粘接剂，所述IC芯片通过所述粘接剂固定在所述第一基岛上；

所述胶槽在所述第一基岛长度方向上的至少一个侧壁设有释放通道，所述第一基岛设置IC芯片的一面上设有与所述释放通道连通的出气通道。

优选的是，所述释放通道包括多个释放孔，多个所述释放孔通过连通孔连通，所述连通孔通过出气通道与外界连通；