[发明专利]一种多基岛大功率模组QFN的封装结构

权利要求书

1.一种多基岛大功率模组QFN的封装结构，其特征在于，包括：引线框架主体(1)，所述引线框架主体(1)上设有至少四个基岛，第一基岛(110)上设置有IC芯片(2)，第二基岛(120)和第三基岛(130)上分别设置有氮化镓芯片(3)，第四基岛(140)上用于承载打线需求，并将大功率信号引出；

所述第一基岛(110)设置IC芯片(2)的一面上设有胶槽(111)，所述胶槽(111)的尺寸与所述IC芯片(2)的尺寸一致，所述胶槽(111)内填充有粘接剂，所述IC芯片(2)通过所述粘接剂固定在所述第一基岛(110)上；

所述胶槽(111)在所述第一基岛(110)长度方向上的至少一个侧壁设有释放通道，所述第一基岛(110)设置IC芯片(2)的一面上设有与所述释放通道连通的出气通道(112)；

所述释放通道包括多个释放孔(113)，多个所述释放孔(113)通过连通孔(114)连通，所述连通孔(114)通过出气通道(112)与外界连通；

所述出气通道(112)的出口外侧且位于所述第一基岛(110)上设有出气槽(115)，所述出气通道(112)位于所述出气槽(115)内的侧壁上设有多个出气孔(116)，所述出气通道(112)的出口通过封闭板(117)进行封闭；

所述出气通道(112)的内侧壁设有环形槽(118)，所述环形槽(118)内密封连接有出气片(4)，所述出气片(4)位于所述出气孔(116)的下方；

所述出气片(4)上设有多个出气微孔(410)；

所述出气片(4)远离所述出气孔(116)的一侧为弧形设置，所述出气片(4)弯曲变形时，多个所述出气微孔(410)靠近弯曲凹面的一端的孔径被迫减小。

2.根据权利要求1所述的多基岛大功率模组QFN的封装结构，其特征在于，所述IC芯片(2)远离所述第一基岛(110)的一面高于所述氮化镓芯片(3)远离所述第二基岛(120)的一面设置。

3.根据权利要求1所述的多基岛大功率模组QFN的封装结构，其特征在于，所述引线框架主体(1)通过塑封体进行塑封，所述四个基岛的散热面(150)外露于所述塑封体。

4.根据权利要求1所述的多基岛大功率模组QFN的封装结构，其特征在于，所述第一基岛(110)靠近所述引线框架主体(1)的边部的至少一侧设有多个第一引脚(160)，多个所述第一引脚(160)与所述第一基岛(110)上设置的IC芯片(2)或者与所述第二基岛(120)上设置的氮化镓芯片(3)通过引线实现电连接，所述第一引脚(160)远离所述IC芯片(2)的底面和侧面外露于用于封装引线框架主体(1)的塑封体。

5.根据权利要求1所述的多基岛大功率模组QFN的封装结构，其特征在于，所述第二基岛(120)靠近所述引线框架主体(1)的边部的至少一侧设有多个第二引脚(121)，所述第二引脚(121)与所述第二基岛(120)连接，所述第二引脚(121)远离所述氮化镓芯片(3)的底面和侧面外露于用于封装引线框架主体(1)的塑封体。

6.根据权利要求1所述的多基岛大功率模组QFN的封装结构，其特征在于，所述第三基岛(130)靠近所述引线框架主体(1)的边部的至少一侧设有多个第三引脚(131)，所述第三引脚(131)与所述第三基岛(130)连接，所述第三引脚(131)远离所述氮化镓芯片(3)的底面和侧面外露于用于封装引线框架主体(1)的塑封体；

所述第三基岛(130)上还设有用于承载引线的打线区域(132)，所述打线区域(132)通过引线与所述第二基岛(120)上设有的氮化镓芯片(3)电连接。