[发明专利]高可靠性发光二极管

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

第一导电型半导体层；

台面，布置于所述第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层；

欧姆层，布置在所述台面上而与所述第二导电型半导体层欧姆接触；

下部绝缘层，覆盖所述台面以及欧姆层，并且局部地暴露所述第一导电型半导体层以及所述欧姆层；

第一焊盘金属层，布置在所述下部绝缘层上，并且与所述第一导电型半导体层电连接；

金属反射层，与所述第一焊盘金属层在水平方向上相隔；以及

上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层以及所述金属反射层，并且具有暴露所述第一焊盘金属层以及所述金属反射层的开口部，

其中，所述上部绝缘层的边缘与所述第一焊盘金属层至少隔开14μm。

2.根据权利要求1所述的发光元件，包括：

第一凸块焊盘以及第二凸块焊盘，形成于所述上部绝缘层上，

中央区域，形成于第一凸块焊盘与第二凸块焊盘之间。

3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，

所述台面包括多个贯通孔，暴露所述第一导电型半导体层，从上面观察时，所述多个贯通孔布置于所述中央区域。

4.根据权利要求3所述的发光元件，其中，

布置于中央区域的所述多个贯通孔呈长形形状。

5.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，

所述下部绝缘层具有在所述多个贯通孔内暴露所述第一导电型半导体层的开口部，所述第一焊盘金属层通过所述下部绝缘层的开口部电连接于所述第一导电型半导体层。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述金属反射层利用与所述第一焊盘金属层相同的材料形成，并且堆叠有Al、Ti、Ni、Cr、Au中的至少两个物质。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述金属反射层的一部分与所述欧姆层重叠。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

使所述第一焊盘金属层以及所述金属反射层暴露的开口部以彼此不重叠的方式在横向上相隔。

9.一种发光二极管，包括：

基板；

第一导电型半导体层，布置于所述基板上；

台面，布置于所述第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层；

欧姆层，布置在所述台面上而与所述第二导电型半导体层欧姆接触；

下部绝缘层，覆盖所述台面以及欧姆层，并且局部地暴露所述第一导电型半导体层以及所述欧姆层；

第一焊盘金属层，布置在所述下部绝缘层上，并且与所述第一导电型半导体层电连接；

第二焊盘金属层，在水平方向上与所述第一焊盘金属层相隔；以及

上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层以及所述第二焊盘金属层，

其中，所述活性层包括多量子阱结构，所述第二导电型半导体层包括掺杂有Mg的氮化镓类半导体层，

相比于所述第一导电型半导体层的侧面，所述活性层的侧面远离所述基板的边缘，

所述上部绝缘层具有使所述第一焊盘金属层暴露的开口部。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其中，

所述第二焊盘金属层利用与所述第一焊盘金属层相同的材料形成，并且堆叠有Al、Ti、Ni、Cr、Au中的至少两个物质。