[发明专利]一种氢化硅碳氮氧透明超疏水薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202210033301.9 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114481087A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 姜礼华;孙嘉进;龚梦天;林一凡;肖婷;向鹏;杨雄波;谭新玉 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/505;C23C16/56 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氢化 硅碳氮氧 透明 疏水 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种氢化硅碳氮氧透明超疏水薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：
（1）采用PECVD技术依次以高纯甲烷、氨气、笑气、氢气与硅烷混合气为工作气体在玻璃基片表面制备透明氢化硅碳氮氧薄膜；
（2）采用PECVD技术以高纯四氟化碳为工作气体对步骤（1）中的氢化硅碳氮氧薄膜实施等离子体刻蚀。
2.根据权利要求1所述的氢化硅碳氮氧透明超疏水薄膜及其制备方法，其特征在于，步骤（1）中高纯甲烷、氨气、笑气的纯度均在99.999%及以上；
氢气与硅烷混合气中，氢气与硅烷的体积比为8-15：85-92。
3.根据权利要求1所述的氢化硅碳氮氧透明超疏水薄膜及其制备方法，其特征在于，PECVD沉积参数为：射频功率150～250W，射频频率13.56MHz，基片温度200～300℃，腔体压强70～110Pa，通入高纯甲烷气体流量10～20sccm，通入高纯氨气气体流量5～10sccm，通入高纯笑气气体流量10～20sccm，通入氢气稀释的硅烷混合气气体流量20～30sccm，沉积时间60～80分钟。
4.根据权利要求1所述的氢化硅碳氮氧透明超疏水薄膜及其制备方法，其特征在于，步骤（2）中高纯四氟化碳纯度为99.999%及以上。
5.根据权利要求1所述的氢化硅碳氮氧透明超疏水薄膜及其制备方法，其特征在于，PECVD刻蚀参数为：射频功率350～500W，射频频率13.56MHz，基片温度200～300℃，腔体压强40～60Pa，通入高纯四氟化碳气体流量10～20sccm，等离子体刻蚀时间5～15分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三峡大学，未经三峡大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210033301.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
