[发明专利]存储器件及其形成方法

说明书

本发明实施例的一种存储器件包括阶梯结构、多个第一导电接触件、多个第一驱动器以及多个第二导电接触件。阶梯结构包括交替堆叠的多条第一导电线与多个第一介电层。第一导电接触件分别电连接到所述多条第一导电线。第二导电接触件分别电连接到所述多个第一驱动器。所述多个第一导电接触件与所述多个第二导电接触件结合且设置在所述多条第一导电线与所述多个第一驱动器之间。

技术领域

本发明实施例涉及一种存储器件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用(例如个人计算机、手机、数字照相机及其他电子设备)中。半导体器件通常是通过如下方式制作而成：在半导体衬底之上依序沉积绝缘层或介电层、导电层及半导体层，并使用光刻及蚀刻技术将各种材料层图案化以在其上形成电路组件及元件。

半导体行业通过不断减小最小特征大小(minimum feature size)来不断提高各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，此使得能够将更多的组件集成到给定区域中。然而，随着最小特征大小的减小，出现应解决的附加问题。

发明内容

根据本发明的实施例，一种存储器件包括阶梯结构、多个第一导电接触件、多个第一驱动器以及多个第二导电接触件。所述阶梯结构包括交替堆叠的多条第一导电线与多个第一介电层。所述多个第一导电接触件分别电连接到所述多条第一导电线。所述多个第二导电接触件分别电连接到所述多个第一驱动器。所述多个第一导电接触件与所述多个第二导电接触件结合且设置在所述多条第一导电线与所述多个第一驱动器之间。

根据本发明的实施例，一种存储器件包括阶梯结构、多个第一驱动器、多条第二导电线以及多个第二驱动器。所述阶梯结构具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧且包括沿着从所述第一侧到所述第二侧的方向交替堆叠的多条第一导电线与多个第一介电层。第一驱动器设置在所述阶梯结构的所述第一侧处，且分别电连接到所述多条第一导电线。第二导电线设置在所述第二侧处且跨越所述多条第一导电线及所述多个介电层。第二驱动器设置在所述阶梯结构的所述第二侧处，且分别电连接到所述第二导电线。

根据本发明的实施例，一种形成存储器件的方法包括以下步骤。在第一载体之上形成三维存储器，且所述三维存储器包括多条第一导电线。在第二载体之上形成第一电路结构，且所述第一电路结构包括多个第一驱动器及分别电连接到所述多个第一驱动器的多个第一结合焊垫。通过对所述多条第一导电线与所述多个第一结合焊垫进行结合来对所述三维存储器与所述第一电路结构进行电连接。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，能最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1A至图4C示出根据一些实施例的制造存储器件的不同视图。

图5A至图5C示出根据一些实施例的存储器件的不同视图。

图6A至图10B示出根据一些实施例的制造存储器件的不同视图。

图11A及图11B示出根据一些实施例的存储器件的不同视图。

图12示出根据一些实施例的形成存储器件的方法。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施本发明的不同特征的许多不同实施例或实例。下文阐述组件及排列的具体实例以简化本公开。当然，这些仅是实例并不旨在进行限制。举例来说，在以下说明中第一特征形成在第二特征之上或形成在第二特征上可包括其中所述第一特征与所述第二特征被形成为直接接触的实施例，且还可包括其中所述第一特征与所述第二特征之间可形成有附加特征以使得所述第一特征与所述第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。此种重复使用是出于简洁及清晰目的，而不是自身指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。