[发明专利]存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

阶梯结构，包括交替堆叠的多条第一导电线与多个第一介电层；

多个第一导电接触件，分别电连接到所述多条第一导电线；

多个第一驱动器；以及

多个第二导电接触件，分别电连接到所述多个第一驱动器，其中所述多个第一导电接触件与所述多个第二导电接触件结合且设置在所述多条第一导电线与所述多个第一驱动器之间。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述多个第一导电接触件包括多个第一结合焊垫，所述多个第二导电接触件包括多个第二结合焊垫，且所述多个第一结合焊垫结合到所述多个第二结合焊垫。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述多个第一导电接触件与所述多个第二导电接触件分别直接接触。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述多个第一驱动器中的一者包括栅极以及源极和漏极区，且相应的所述第二导电接触件电连接到所述源极和漏极区。

5.根据权利要求1所述的存储器件，还包括跨越所述多条第一导电线及所述多个介电层的多条第二导电线。

6.根据权利要求5所述的存储器件，还包括多个第二驱动器及分别电连接到所述多个第二驱动器的多个第三导电接触件，其中所述多个第三导电接触件结合到所述多条第二导电线且设置在所述多条第二导电线与所述多个第二驱动器之间。

7.一种存储器件，包括：

阶梯结构，具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧，所述阶梯结构包括沿着从所述第一侧到所述第二侧的方向交替堆叠的多条第一导电线与多个第一介电层；

多个第一驱动器，位于所述阶梯结构的所述第一侧处，分别电连接到所述多条第一导电线；

多条第二导电线，设置在所述第二侧处，跨越所述多条第一导电线及所述多个介电层；以及

多个第二驱动器，位于所述阶梯结构的所述第二侧处，分别电连接到所述多条第二导电线。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中所述多条第二导电线设置在所述多个第二驱动器与所述阶梯结构之间。

9.一种形成存储器件的方法，包括：

在第一载体之上形成三维存储器，所述三维存储器包括多条第一导电线；

在第二载体之上形成第一电路结构，所述第一电路结构包括多个第一驱动器及分别电连接到所述多个第一驱动器的多个第一结合焊垫；以及

通过对所述多条第一导电线与所述多个第一结合焊垫进行结合来对所述三维存储器与所述第一电路结构进行电连接。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述三维存储器包括分别电连接到所述多条第一导电线的多个第二结合焊垫，且对所述多条第一导电线与所述多个第一结合焊垫进行结合包括对位于所述多条第一导电线和所述多个第一驱动器之间的所述多个第一结合焊垫与所述多个第二结合焊垫进行结合。