[发明专利]基于参考图像来确定样本中的缺陷和/或边缘粗糙度在审

专利信息
申请号: 202210027392.5 申请日: 2022-01-11
公开(公告)号: CN114841912A 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: S·埃尔卡亚姆;S·科恩;N·扎克 申请(专利权)人: 应用材料以色列公司
主分类号: G06T7/00 分类号: G06T7/00;G06K9/62;G06T7/13;G06V10/764
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖;张鑫
地址: 以色列瑞*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 基于 参考 图像 确定 样本 中的 缺陷 边缘 粗糙
【说明书】:

提供了系统和方法,包括:获得半导体样本的分段图像,所述图像包括第一结构元素;获得半导体样本的参考图像,所述参考图像是基于设计数据并且包括第二结构元素;对于包括第一结构元素和对应的第二结构元素的至少一对元素,确定提供为了根据匹配标准使所述对的元素匹配所需的空间变换的信息的数据D空间;以及至少使用D空间来确定提供第一结构元素中的缺陷的信息的数据和提供第一结构元素的边缘粗糙度的信息的数据中的至少一者。

技术领域

当前公开的主题总体涉及样本检验领域,并且更具体地涉及自动化对样本的检验。

背景技术

当前对与所制造的器件的超大规模集成相关联的高密度和高性能的需求要求亚微米特征、提高的晶体管和电路速度以及提高的可靠性。这种需求要求形成具有高精确度和高均匀性的器件特征,这又使得必需仔细地监测制造工艺,包括在器件仍然呈半导体晶片的形式时自动化检验器件。

在半导体制造期间的各种步骤处使用了检验工艺来检测样本上的缺陷并且对其进行分类。可通过(多个)工艺的自动化(例如,自动化缺陷分类(ADC)、自动化缺陷查验(ADR)等)来提高检验效力。

发明内容

根据当前公开的主题的某些方面,提供了检验半导体样本的系统,所述系统包括处理器和存储器电路系统(PMC),所述处理器和存储器电路系统(PMC)被配置为:获得所述半导体样本的分段图像,所述图像包括第一结构元素;获得所述半导体样本的参考图像,所述参考图像是基于设计数据并且包括第二结构元素;对于包括第一结构元素和对应的第二结构元素的至少一对元素,确定提供为了根据匹配标准使所述对的元素匹配所需的空间变换的信息的数据D空间;以及至少使用D空间来确定提供所述第一结构元素中的缺陷的信息的数据和提供所述第一结构元素的边缘粗糙度的信息的数据中的至少一者。

根据一些实施例,所述系统被配置为对于所述至少一个对,确定提供在向所述第二结构元素的多个像素应用相同空间变换之后的对应于所述第二结构元素的经校正的元素的信息的数据。

根据一些实施例,所述空间变换包括平移和扩张中的至少一者。

根据一些实施例,所述系统被配置为:确定表示所述空间变换的幅值的数据D幅值,其中相同空间变换适用于所述对的元素的像素;并且至少基于D幅值来确定提供所述第一结构元素中的缺陷的信息的数据。

根据一些实施例,所述系统被配置为对于所述至少一个对:获得提供所述第一结构元素的第一多个像素的位置的信息的数据;获得提供所述第二结构元素的第二多个像素的位置的信息的数据;确定表示在所述第一多个像素与所述第二多个像素之间的对应关系的数据D对应;至少基于数据D对应,确定提供根据匹配标准使所述第一多个像素的所述位置和所述第二多个像素的所述位置匹配所需的所述空间变换的信息的数据D空间

根据一些实施例,D对应是基于以下项中的至少一者:所述第一多个像素和所述第二多个像素中的至少一些像素的位置,以及提供所述第一结构元素和所述第二结构元素中的至少一者的局部形状的信息的数据。

根据一些实施例,提供所述第一结构元素和所述第二结构元素中的至少一者的局部形状的信息的数据包括:与所述第一结构元素和所述第二结构元素中的至少一者的轮廓正交的方向,以及所述第一结构元素和所述第二结构元素中的至少一者的曲率。

根据一些实施例,确定提供空间变换的信息的数据包括使用归因于所述第一多个像素和所述第二多个像素中的至少一些像素的至少一个权重,所述权重基于数据D对应来确定。

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