[发明专利]二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种二极管的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底表面形成有隔离层；

在所述隔离层上形成导电层以及电阻层，所述导电层包括依次相接的第一导电区域、第二导电区域、第三导电区域和第四导电区域，且所述第一导电区域和所述第三导电区域具有第一导电类型，所述第二导电区域和第四导电区域具有第二导电类型；所述电阻层与所述第一导电区域和所述第三导电区域电连接，或者与所述第二导电区域和所述第四导电区域电连接。

2.根据权利要求1所述的二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述隔离层上形成导电层，包括：在所述隔离层上形成导电材料层；对所述导电材料层执行多次离子注入工艺，以形成所述导电层；其中，所述第一导电区域和所述第三导电区域中掺杂的离子类型相同，所述第二导电区域和第四导电区域中掺杂的离子类型相同。

3.根据权利要求2所述的二极管的制备方法，其特征在于，对所述第一导电区域所对应的部分所述导电材料层执行至少两次离子注入工艺，以形成相接的第一区域和第二区域；其中，所述第一区域中的离子掺杂浓度大于所述第二区域中的离子掺杂浓度，且所述第二区域与所述第二导电区域相接。

4.根据权利要求3所述的二极管的制备方法，其特征在于，所述电阻层与所述第二区域和所述第三导电区域电连接。

5.根据权利要求2所述的二极管的制备方法，其特征在于，对所述第四导电区域所对应的部分所述导电材料层执行至少两次离子注入工艺，以形成相接的第三区域和第四区域；其中，所述第三区域中的离子掺杂浓度小于所述第四区域中的离子掺杂浓度，且所述第三区域与所述第三导电区域相接。

6.根据权利要求5所述的二极管的制备方法，其特征在于，所述电阻层与所述第三区域和所述第二导电区域电连接。

7.根据权利要求2所述的二极管的制备方法，其特征在于，在对所述导电材料层执行多次离子注入工艺之前，所述方法包括：

刻蚀部分所述导电材料层，并形成与所述第一导电区域和所述第三导电区域相连，或者与所述第二导电区域和所述第四导电区域相连的电阻材料层；

对所述电阻材料层执行离子注入工艺，以形成所述电阻层。

8.根据权利要求2所述的二极管的制备方法，其特征在于，所述电阻层具有第二导电类型。

9.根据权利要求1所述的二极管的制备方法，其特征在于，在所述隔离层上形成导电层以及电阻层之后，所述方法还包括：

形成阳极金属层和阴极金属层；其中，所述阳极金属层与所述第一导电区域电连接，所述阴极金属层与所述第四导电区域电连接。

10.一种二极管，其特征在于，采用如权利要求1-9中任意一项所述的二极管的制备方法制备而成，包括：衬底；隔离层，所述隔离层覆盖于所述衬底上；导电层，所述导电层位于所述隔离层上；其中，所述导电层包括依次相接的第一导电区域、第二导电区域、第三导电区域和第四导电区域，且所述第一导电区域和所述第三导电区域具有第一导电类型，所述第二导电区域和第四导电区域具有第二导电类型；电阻层，所述电阻层位于所述隔离层上，且与所述第一导电区域和所述第三导电区域电连接，或者与所述第二导电区域和所述第四导电区域电连接。