[发明专利]半导体结构

说明书

本发明提供了一种半导体结构。通过在栅极结构的侧边设置底部依次降低的至少两个隔离侧墙，并使接触插塞的底部进一步降低而延伸至衬底中，进而使得金属硅化物层内陷在衬底的较深位置中，增加了金属硅化物层和栅极结构之间的距离。如此，即可有效改善在金属硅化物层的制备过程中以及金属硅化物层制备完成后出现的金属扩散至栅极结构的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构。

背景技术

晶体管器件作为半导体集成电路中的主要器件，被广泛应用于存储器、逻辑电路中等。具体参考图1所示，晶体管一般包括形成在衬底10表面上的栅极结构20和形成在衬底10中且位于栅极结构20侧边的源漏区30，其中，所述源漏区30通常还需要通过接触插塞50实现电性引出，即所述接触插塞50的底部延伸至衬底10以和所述源漏区30电性连接。

现有技术中，为了降低接触插塞50和源漏区30之间的接触电阻，一般还会在源漏区30的接触面上形成金属硅化物层40，进而使得接触插塞50能够通过所述金属硅化物层40与所述源漏区30电性连接。然而，现有的半导体结构中，常常会发生金属硅化物层40中的金属扩散至其侧边的栅极结构20，从而会对半导体结构造成影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体结构，以解决金属硅化物层中的金属容易扩散至栅极结构的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体结构，包括：衬底；至少一个栅极结构，形成在所述衬底上；第一隔离侧墙，覆盖所述栅极结构的侧壁，并且所述第一隔离侧墙的底部低于所述栅极结构的底部；第二隔离侧墙，覆盖所述第一隔离侧墙远离栅极结构的侧壁，并且所述第二隔离侧墙的底部低于所述第一隔离侧墙的底部；第三隔离侧墙，覆盖所述第二隔离侧墙远离栅极结构的侧壁，并且所述第三隔离侧墙的底部低于所述第一隔离侧墙的底部；接触插塞，形成在所述第三隔离侧墙远离所述栅极结构的侧边，并且所述接触插塞的底部低于所述第二隔离侧墙的底部并延伸至所述衬底中；以及，金属硅化物层，位于所述接触插塞底部的衬底中，并直接接触所述接触插塞和所述衬底。

可选的，所述第二隔离侧墙的底部还沿着背离所述栅极结构的方向横向延伸而覆盖衬底表面，所述接触插塞贯穿所述第二隔离侧墙以延伸至所述衬底中。

可选的，所述金属硅化物层的边缘的顶部接触所述第二隔离侧墙的底表面。

可选的，所述金属硅化物层靠近栅极结构的边界未超出所述第二隔离侧墙靠近栅极结构的边界。

可选的，所述第三隔离侧墙的底部还沿着背离所述栅极结构的方向横向延伸而覆盖所述第二隔离侧墙，所述接触插塞依次贯穿所述第三隔离侧墙和所述第二隔离侧墙以延伸至所述衬底中。

可选的，所述第三隔离侧墙不连续覆盖所述第二隔离侧墙。

可选的，所述接触插塞的一部分侧壁接触所述第二隔离侧墙的侧壁，所述接触插塞还有一部分侧壁接触所述第三隔离侧墙的侧壁。

可选的，所述接触插塞的顶部宽度尺寸大于所述接触插塞的底部宽度尺寸，其中所述接触插塞的顶部侧壁和所述第二隔离侧墙的侧壁邻接，所述接触插塞的底部侧壁和所述第三隔离侧墙的侧壁邻接。

可选的，所述半导体结构还包括第四隔离侧墙，所述第四隔离侧墙至少位于所述栅极结构的侧壁和所述第一隔离侧墙之间，其中所述第四隔离侧墙的底部低于所述栅极结构的底部，并高于第一隔离侧墙的底部。

可选的，所述第四隔离侧墙还覆盖所述栅极结构的顶表面。

可选的，所述半导体结构包括至少两个栅极结构，其中相邻的两个栅极结构之间共用一个接触插塞，所述接触插塞和两侧的两个栅极结构之间均设置有所述第一隔离侧墙、所述第二隔离侧墙和所述第三隔离侧墙。