[发明专利]承载装置及半导体工艺设备

说明书

本发明提供一种承载装置及半导体工艺设备，其中，承载装置包括：安装座，安装座的周向侧壁与真空腔室的底壁密封连接，安装座具有朝向真空腔室内的真空环境的真空侧以及朝向真空腔室外的大气环境的大气侧，安装座具有导电部，且导电部用于与位于大气侧的电源装置电性连接；加热器，位于真空侧且可拆卸地安装在安装座上，加热器具有加热元件和第一导电配合部，加热元件与第一导电配合部电性连接，当加热器安装在安装座上时，第一导电配合部与导电部电性配合，以使加热元件与电源装置电性连接。在加热器进行更换或维修过程中，安装座和电源装置无需进行拆卸，只需要将加热器由安装座上拆卸下来或安装至安装座上即可，加热器的拆装更为便捷。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，具体地，涉及一种承载装置及半导体工艺设备。

背景技术

目前，在物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等沉积设备的工艺腔室(内部通常为真空环境)中，用于承载晶圆(wafer)的结构可以通过增加加热功能来改善晶圆的工艺均匀性。例如，通过具有加热器的承载装置对晶圆进行承载和加热。在上述现有的承载装置中，加热器的顶面用于承载晶圆。随着使用时间的累积，加热器容易发生被镀、腐蚀等问题，导致加热器不能满足工艺要求，此时便需要对加热器进行更换或维修。然而，现有承载装置中加热器的拆卸和安装十分不便，费时费力，并且加热器安装的一致性对于安装人员而言也具有较高的要求。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种承载装置及半导体工艺设备。

第一方面，本发明提供一种承载装置，设置在真空腔室的底部，用于承载待加工晶圆并对该待加工晶圆进行加热，承载装置包括：安装座，安装座的周向侧壁与真空腔室的底壁密封连接，安装座具有朝向真空腔室内的真空环境的真空侧以及朝向真空腔室外的大气环境的大气侧，安装座具有导电部，且导电部用于与位于大气侧的电源装置电性连接；加热器，位于真空侧且可拆卸地安装在安装座上，加热器具有加热元件和第一导电配合部，加热元件与第一导电配合部电性连接，当加热器安装在安装座上时，第一导电配合部与导电部电性配合，以使加热元件与电源装置电性连接。

进一步地，加热器包括加热主体和支撑轴，加热元件设置在加热主体内，加热主体用于承载待加工晶圆，支撑轴由绝缘材料制成，支撑轴的第一端与加热主体定位连接，支撑轴的第二端设有第一导电配合部，第一导电配合部包括供电端子和供电端子孔中的一个；安装座具有安装槽，安装槽的形状与支撑轴的形状相适配，安装槽的槽底设有导电部，导电部包括供电端子和供电端子孔中的另一个，其中，支撑轴的第二端由安装槽的开口插入至安装槽内，以使加热器安装至安装座上，并且供电端子插入至供电端子孔内，以使加热元件与电源装置电性连接。

进一步地，加热主体朝向支撑轴的端面设有第一定位销和第一定位孔中的一个，支撑轴的第一端的端面设有第一定位销和第一定位孔中的另一个，第一定位销插入至第一定位孔内，以对加热主体与支撑轴之间进行定位；和/或，加热主体朝向支撑轴的端面与支撑轴的第一端的端面之间形成有隔热间隙，隔热间隙与真空腔室内的真空环境连通。

进一步地，供电端子包括供电端子本体和用于将供电端子本体与加热元件进行连接的连接结构；支撑轴包括支撑轴主体、固定部以及限位部，支撑轴主体的第一端与加热主体定位连接，支撑轴主体的第二端与固定部连接，限位部与固定部背离支撑轴主体的一侧连接，其中，固定部具有第一容置槽和第一穿设孔，限位部具有第一限位孔，第一容置槽、第一穿设孔以及第一限位孔沿支撑轴的延伸方向依次连通，部分供电端子本体被限位固定于第一容置槽内，且供电端子本体的自由端通过第一穿设孔和第一限位孔向外穿出。