[发明专利]光电器件和用于制造光电器件的方法在审
申请号: | 202180063242.3 | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN116195078A | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | M·豪沙尔特;D·贝克尔 | 申请(专利权)人: | 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/52 | 分类号: | H01L33/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;刘春元 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 器件 用于 制造 方法 | ||
光电器件(1)包括光电半导体芯片(2)、光学元件(3)和芯片载体(5)。半导体芯片(2)布置在所述芯片载体(5)上。光学元件(3)在所述半导体芯片(2)的辐射方向(7)上布置在所述半导体芯片(2)下游并且借助于粘合层(6)被紧固在光学载体(12)处。浇铸件(4)围绕所述光学元件(3)、所述光学载体(12)和所述粘合层(6)构成从所述光学元件(3)蔓延到所述光学载体(12)上的框架。浇铸件(4)相对于所述半导体芯片(2)将所述光学元件(3)固定在其位置中。
技术领域
说明一种光电器件。此外说明一种用于制造光电器件的方法。
背景技术
要解决的任务尤其是在于说明一种光电器件,所述光电器件以长耐用性和高机械稳健性为特色。另一要解决的任务尤其是在于说明一种用于制造这样的器件的方法。
发明内容
这些任务通过具有独立专利权利要求1的特征的主题来解决或通过具有独立专利权利要求8的特征的方法来解决。有利的设计方案和改进方案是分别从属的专利权利要求的主题。
根据光电器件的至少一种实施方式,该光电器件包括光电半导体芯片、光学元件和芯片载体。半导体芯片例如包括具有有源区的半导体层序列。例如,半导体层序列包括p型导电半导体层和n型导电半导体层,其中有源区布置在p型导电层和n型导电层之间。有源层用于产生或吸收电磁辐射。有源区尤其是包含至少一个以单个量子阱为形式的量子阱结构,简称为SQW,或者以多量子阱结构为形式的量子阱结构,简称为MQW。附加地,有源区包含一个、优选地多个侧阱结构(Nebentopfstrukturen)。MQW结构的示例在出版物WO01/39282中得以描述,其公开内容就此而言从而通过回引被纳入。
例如,在按规定的运行中在有源区中产生在蓝色或绿色或红色光谱范围内或在UV范围内或在IR范围内的电磁辐射。尤其是可能的是,在有源区中产生在IR范围(包括IR范围在内)和UV范围(包括UV范围在内)之间的波长范围内的电磁辐射。
例如,半导体层序列基于III-V化合物半导体材料。例如,半导体层序列基于诸如AlnIn1-n-mGamN的氮化物化合物半导体材料,或者基于诸如AlnIn1-n-mGamP的磷化物化合物半导体材料,或者基于诸如AlnIn1-n-mGamAs的砷化物化合物半导体材料,其中分别0≤n≤1,0≤m≤1和m+n≤1。在此,半导体层序列可以具有掺杂材料以及附加的成分。然而,为了简单起见,仅说明半导体层序列的晶格的主要成分,即Al、As、Ga、In、N或P,即使这些成分可以部分地通过少量其他物质代替或补充。
在这里和在下面,半导体芯片尤其是被理解为可单独操作并且可电接触的元件。半导体芯片尤其是通过从晶片复合体中分离而形成。半导体芯片的半导体层序列例如构造为连贯的
可替代地可能的是,半导体芯片包括多重连贯的半导体层序列。半导体层序列的分开的区段例如布置在共同的载体上。半导体层序列的每个区段优选地构成发射器并且被设立用于发射电磁辐射。因此,半导体芯片例如包括大量发射器。例如,发射器以所谓的阵列的方式布置。
根据光电器件的至少一种实施方式或其上述实施方式,半导体芯片布置在芯片载体上。芯片载体例如在朝向半导体芯片的面上具有一个或多个金属化部。可替代地或附加地,芯片载体具有一个或多个贯通接触部。在按规定的运行中,半导体芯片尤其是通过芯片载体被通电和操控。芯片载体例如利用经煅烧的陶瓷、例如AlO或AlN构成。
可替代地,芯片载体例如利用导体框架来构成,所述导体框架利用塑料浇铸件作为浇铸体被浇注。导体框架例如包括铜。这样的芯片载体例如被称为QFN衬底。
根据光电器件的至少一种实施方式或其上述实施方式之一,光学元件在半导体芯片的辐射方向上布置在半导体芯片下游。半导体芯片的辐射方向尤其是是由半导体芯片发出的电磁辐射在按规定的运行中具有其最大强度的方向。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司,未经艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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- 2015-07-23 - 2019-06-28 - H01L33/52
- 在各个实施例中,有机密封剂层被提供在紫外(UV)发光半导体芯片的表面上方,密封剂的至少一部分被暴露于UV光以将密封剂的所述部分中的至少一些转化成非化学计量比二氧化硅材料。所述非化学计量比二氧化硅材料包括硅、氧和碳,所述非化学计量比二氧化硅材料的碳含量大于1ppm且小于40原子百分比。
- 光半导体装置及其制造方法以及银用表面处理剂及发光装置-201480066824.7
- 山浦格;东内智子;稻田麻希;后藤泰史;鲤渊滋;高根信明 - 日立化成株式会社
- 2014-12-11 - 2019-03-12 - H01L33/52
- 本发明一个侧面的光半导体装置具备在表面形成有镀银层的基板;接合于镀银层的发光二极管;由环绕发光二极管的光反射面形成收纳发光二极管的内侧空间的光反射部;将镀银层被覆的防银硫化膜;填充在内侧空间、将发光二极管密封的透明密封部,其中,防银硫化膜具有带有由粘土产生的阻气性的阻气层;配置在阻气层下层、具有粘接性的底涂层,透明密封部与所述底涂层接触。
- 半导体器件和用于制造半导体器件的方法-201780012837.X
- 科比尼安·佩尔茨尔迈尔;克里斯蒂安·莱雷尔;马蒂亚斯·斯佩尔 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2017-02-21 - 2018-10-23 - H01L33/52
- 本发明涉及一种半导体器件,‑其具有:至少一个半导体芯片(10),所述半导体芯片包括具有有源区域(12)的半导体本体(1)、转换元件(6)和载体(3),并且载体(3)具有第一成形体(33)、第一导体本体(31)和第二导体本体(32),并且导体本体(31,32)与有源区域(12)导电连接,并且其中转换元件(6)的背离有源区域(12)的一侧形成半导体芯片(10)的前侧(101),并且载体(3)的背离有源区域(12)的一侧形成半导体芯片(10)的后侧(102),并且半导体芯片的侧面(103)将前侧(101)和后侧(102)彼此连接;和‑所述半导体器件具有第二成形体(5),其中‑半导体芯片(10)完全地穿过第二成形体(5),使得第二成形体(5)形成围绕半导体芯片(10)的框架,并且半导体芯片(10)的前侧(101)和后侧(102)至少局部地没有第二成形体(5),并且‑第二成形体(5)在半导体芯片(10)的侧面上至少部分地遮盖转换元件(6)的露出的面。
- 发光装置及其制造方法-201280035302.1
- 蔵本雅史;岩仓大典;小关健司;鹤羽智阳;冈田聪;林正树 - 日亚化学工业株式会社
- 2012-05-15 - 2018-06-08 - H01L33/52
- 本发明提供一种光取出效率优良的发光装置及其制造方法。本发明的发光装置(100)的制造方法在通过滴下到具有连接发光元件(10)的导电部件(20)及与该导电部件(20)一体成形的成形体(25)的基体(30)上而成形密封所述发光元件(10)的密封部件(40)的工序中,所述密封部件(40)以该密封部件(40)的边缘的至少一部分设置在所述导电部件(20)或所述成形体(25)的俯视时朝向外侧的外向面(38)的方式而成形。
- LED器件、LED组件及紫外线发光装置-201680029996.6
- 土居笃典;岩崎克彦;增井建太朗 - 住友化学株式会社
- 2016-05-19 - 2018-01-19 - H01L33/52
- LED器件,其具有基板;LED元件,所述LED元件被配置于所述基板上;无机玻璃成型体,所述无机玻璃成型体被配置于来自所述LED元件的出射光的全部或一部分透过的位置;第1粘接部,所述第1粘接部以与所述基板接触的方式进行设置,并将所述基板与所述无机玻璃成型体粘接;和第2粘接部,所述第2粘接部被设置于所述LED元件与所述无机玻璃成型体之间,所述LED器件中,所述LED元件通过所述基板、所述无机玻璃成型体和所述第1粘接部而与外部大气隔绝,所述第2粘接部的形成材料包含缩聚型有机硅树脂,所述LED元件与所述无机玻璃成型体之间的距离为0.1mm以下。
- 光电子器件、光学元件和其制造方法-201380048833.9
- 凯西·施米特克;迈克尔·克鲁帕;贝尔特·布劳内 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2013-09-06 - 2017-10-27 - H01L33/52
- 根据至少一个实施方式提出一种光电子器件,所述光电子器件包括壳体(20);发射辐射的或接收辐射的半导体芯片(10),所述半导体芯片设置在壳体(20)中;和光学元件(50),所述光学元件设置在器件的光路中。光学元件(50)具有两亲的嵌段共聚物(55),所述嵌段共聚物包含作为疏水聚合物的聚硅氧烷以及与其交联的亲水聚合物。此外,光学元件(50)具有导热的纳米颗粒(60),所述纳米颗粒以分布在两亲的嵌段共聚物(55)中的方式存在并且包括选自下述组的材料金属、金属氧化物、金属氢氧化物和它们的组合。
- 专利分类