[发明专利]多芯衬底在审
| 申请号: | 202180033363.3 | 申请日: | 2021-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN115552599A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
| 发明(设计)人: | J·R·V·鲍特;Z·王;A·帕蒂尔;卫洪博;K·康 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 张宁 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 | ||
公开了各种封装件配置及其制造方法。在一些方面,封装件可以包括芯层和第一层,该第一层直接附接到芯层的第一面,其中第一器件被嵌入在第一层中。第二层可以直接附接到芯层的与第一面相对的第二面,其中第二无源器件被嵌入在第二层中。第一堆积层可以直接附接到第一层,与芯层相对,并且第二堆积层可以直接附接到第二层,与芯层相对。
对于本专利申请要求2020年5月29日提交的标题为“MULTICORE SUBSTRATE”的美国临时专利申请第63/031,881号和2021年5月27日提交的标题为“MULTICORE SUBSTRATE”的美国非临时专利申请第17/332,962号的权益,这两个专利申请都已转让给本申请的受让人,并且通过引用明确地将其全部内容并入本文。
技术领域
本公开总体涉及衬底,并且更具体地,但非排他地,涉及多芯衬底。
背景技术
如今,集成电路封装件广泛应用于电子电路中。例如,人工智能(AI)、计算和服务器封装件今天被广泛使用。然而,由于对这些类型的封装件的刚度要求,这些封装件通常在衬底中具有厚的层压芯。此厚芯会影响从电路板到封装件中半导体芯片上的逻辑的功率输送。现有的常规解决方案有管芯侧电容器(DSC)、底面电容器(LSC)和嵌入式无源衬底(EPS)。不幸的是,这些常规的方法仍然有许多局限性,诸如:DSC——横向连接,不利于用于功率输送网络;LSC——远离管芯逻辑,由于厚芯和更多层玻璃纤维浸渍树脂(预浸料),效率较低;以及EPS——比LSC好,但仍然远离逻辑,因为这些产品的衬底总层数为8-20层。
因此,需要用于克服包括由此提供的方法、系统和装置在内的常规方法的缺陷的系统、装置和方法。
发明内容
以下呈现与与本文公开的装置和方法相关联的一个或多个方面和/或示例相关的简化的发明内容。因此,以下发明内容不应被认为是与所有设想方面和/或示例相关联的广泛综述,也不应被认为是标识与所有设想方面和/或示例相关联的关键或重要要素,或描绘与任何特定方面和/或示例相关联的范围。因此,以下发明内容的唯一目的是在下文呈现的具体实施方式之前,以简化的形式呈现与一个或多个方面相关的某些概念和/或与本文公开的装置和方法相关的示例。
在一个方面,一种封装件包括:芯层;第一层,直接附接到芯层的第一面;第二层,直接附接到芯层的第二面,芯层的第二面与芯层的第一面相对;第一堆积层(builduplayer),直接附接到第一层,与芯层相对;第二堆积层,直接附接到第二层,与芯层相对;第一层中的第一无源器件;以及第二层中的第二无源器件。
在另一个方面,一种装置包括:封装件衬底,该封装件衬底包括:芯结构;第一嵌入式无源衬底(EPS)层,直接附接到该芯结构的第一面,其中第一无源器件被嵌入在该第一层中;第二EPS层,直接附接到与芯结构的第一面相对的芯结构的第二面,其中第二无源器件被嵌入在第二EPS层中;第一堆积层,直接附接到第一层,与芯结构相对;以及第二堆积层,直接附接到第二EPS层,与芯结构相对。
在又一个方面,一种封装件包括:用于绝缘的部件;第一用于嵌入的部件,直接附接到用于绝缘的部件的第一面;第二用于嵌入的部件,直接附接到用于绝缘的部件的第二面,用于绝缘的部件的第二面与用于绝缘的部件的第一面相对;第一用于支撑的部件,直接附接到第一用于嵌入的部件,与用于绝缘的部件相对;第二用于支撑的部件,直接附接到第二用于嵌入的部件,与用于绝缘的部件相对;第一用于嵌入的部件中的第一无源器件;以及第二用于嵌入的部件中的第二无源器件。
在又一个方面,一种用于制造封装件的方法,该方法包括:提供芯层;直接在芯层的第一面上形成第一层;直接在芯层的第二面上形成第二层,芯层的第二面与芯层的第一面相对;在第一层中嵌入第一无源器件;在第二层中嵌入第二无源器件;在第一层上直接形成第一堆积层,与芯层相对;以及直接在第二层上形成第二堆积层,与芯层相对。
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