[发明专利]具有介电壁支撑结构的三维存储器器件及其形成方法在审
申请号: | 202180006701.4 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN114730765A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 久保智裕 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11;H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11565 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 李哲;臧建明 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 介电壁 支撑 结构 三维 存储器 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种三维存储器器件,包括:
绝缘层和导电层的交替堆叠,所述交替堆叠位于第一线沟槽和第二线沟槽之间,所述第一线沟槽和所述第二线沟槽沿第一水平方向并在衬底上方横向延伸;
第一存储器阵列区域和第二存储器阵列区域,所述第一存储器阵列区域和所述第二存储器阵列区域沿所述第一水平方向横向间隔开并且包括所述交替堆叠的每个层,其中各自包括竖直半导体沟道和存储器膜的相应一组存储器堆叠结构竖直延伸穿过所述第一存储器阵列区域和所述第二存储器阵列区域中的每一者内的所述交替堆叠;
第一介电壁结构和第二介电壁结构,所述第一介电壁结构和所述第二介电壁结构位于所述第一线沟槽和所述第二线沟槽之间并且位于所述第一存储器阵列区域和所述第二存储器阵列区域之间,沿所述第一水平方向横向延伸,并且具有比所述第一线沟槽和所述第二线沟槽的横向范围更小的横向范围,其中连接区域位于所述第一线沟槽和所述第一介电壁结构之间,并且阶梯区域位于所述第二线沟槽和所述第二介电壁结构之间,并且所述交替堆叠的所述导电层具有沿所述第一水平方向随着距所述衬底的距离而减小的横向范围;和
介电材料板和绝缘板或层的交替堆叠,所述交替堆叠位于所述第一介电壁结构和所述第二介电壁结构之间,其中所述介电材料板具有随着距所述衬底的所述竖直距离而减小的水平剖面面积。
2.根据权利要求1所述的三维存储器器件,其中:
所述介电材料板具有沿所述第一水平方向随着距所述衬底的所述竖直距离而减小的第一横向范围;并且
所述介电材料板具有沿第二水平方向随着距所述衬底的所述竖直距离而减小的第二横向范围,其中所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向。
3.根据权利要求2所述的三维存储器器件,所述三维存储器器件进一步包括覆盖所述介电材料板并接触所述第一介电壁结构和所述第二介电壁结构的介电填充材料部分,其中所述介电填充材料部分与所述第二介电壁结构的接触面积大于与所述第一介电壁结构的接触面积。
4.根据权利要求1所述的三维存储器器件,所述三维存储器器件进一步包括:
较低层级介电材料层,所述较低层级介电材料层位于所述衬底以及所述交替堆叠和所述介电材料板的组合之间并嵌入较低层级金属互连结构;
较高层级介电材料层,所述较高层级介电材料层位于所述交替堆叠和所述介电材料板的所述组合上方并嵌入较高层级金属互连结构;
连接通孔结构,所述连接通孔结构竖直延伸穿过所述介电材料板并接触所述较低层级金属互连结构中的相应一者和所述较高层级金属互连结构中的相应一者;和
层接触通孔结构,所述层接触通孔结构在所述阶梯区域的区域内接触所述导电层中的相应一者的顶表面。
5.根据权利要求4所述的三维存储器器件,其中所述层接触通孔结构穿过所述较高层级金属互连结构的相应金属线电连接到所述连接通孔结构中的相应一者。
6.根据权利要求4所述的三维存储器器件,所述三维存储器器件进一步包括:
附加绝缘层和附加导电层的附加交替堆叠,所述附加交替堆叠位于所述第一线沟槽和所述第二线沟槽之间并且位于所述交替堆叠上方或下方;和
附加介电材料板,所述附加介电材料板嵌入在所述附加交替堆叠内,其中所述连接通孔结构竖直延伸穿过所述附加介电材料板中的每一者。
7.根据权利要求6所述的三维存储器器件,所述三维存储器器件进一步包括与所述附加介电材料板接触的第一附加介电壁结构和第二附加介电壁结构,其中所述附加介电材料板由所述第一附加介电壁结构和所述第二附加介电壁结构沿垂直于所述第一水平方向的第二水平方向横向界定。
8.根据权利要求6所述的三维存储器器件,其中:
所述附加介电材料板覆盖所述交替堆叠的所述阶梯区域;并且
所述层接触通孔结构竖直延伸穿过所述附加介电材料板中的每一者。
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