[实用新型]光电二极管器件、感光芯片、光敏探测器和检测装置

说明书

本实用新型公开了一种光电二极管器件、感光芯片、光敏探测器和检测装置，涉及光电二极管的技术领域，解决了现有技术中光电二极管器件的响应速度较慢，并且光电二极管器件的占用面积较大，降低晶圆面积利用率的技术问题。半导体衬底包括背光面。半导体衬底内形成有间隔设置的第一掺杂部和第二掺杂部，第一掺杂部与半导体衬底的掺杂类型不同，第二掺杂部与半导体衬底的掺杂类型相同。金属布线层设置于背光面的一侧，且与半导体衬底相邻。第一导电部贯穿金属布线层，且与第一掺杂部电连接。第一导电部在半导体衬底上的垂直投影，位于第一掺杂部在半导体衬底上垂直投影的范围内。本实用新型公开的光电二极管器件用于将光信号转换为电信号。

技术领域

本实用新型涉及光电二极管的技术领域，尤其涉及一种光电二极管器件、一种感光芯片、一种光敏探测器和一种检测装置。

背景技术

现有技术中，光电二极管阵列广泛应用于安检、工业无损检测和医疗等领域，具有广阔的应用前景。光电二极管阵列包括多个阵列排布的光电二极管器件，光电二极管器件用于将接收到的光信号转换为电信号。

现有技术中至少存在如下技术问题：光电二极管器件的响应速度较慢，影响了光电二极管器件的使用性能，并且光电二极管在晶圆上的占用面积较大，降低了晶圆的面积利用率。

实用新型内容

为了解决现有技术中光电二极管响应速度较慢，并且光电二极管在晶圆上的占用面积较大，降低晶圆面积利用率的技术问题，本实用新型的实施例提供了一种光电二极管器件、一种感光芯片、一种光敏探测器和一种检测装置。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

第一方面，本实用新型的实施例提供了一种光电二极管器件，包括半导体衬底，半导体衬底包括背光面；半导体衬底内形成有间隔设置的第一掺杂部和第二掺杂部，第一掺杂部与半导体衬底的掺杂类型不同，第二掺杂部与半导体衬底的掺杂类型相同；金属布线层，设置于背光面的一侧，且与半导体衬底相邻；以及，第一导电部，贯穿金属布线层，且与第一掺杂部电连接；第一导电部在半导体衬底上的垂直投影，位于第一掺杂部在半导体衬底上垂直投影的范围内。

本实用新型的实施例通过设置第一导电部在半导体衬底上的垂直投影，位于第一掺杂部在半导体衬底上垂直投影的范围内，使得第一导电部的设置位置能够与第一掺杂部的设置位置相对应，避免了第一导电部向光敏区以外延伸，一方面，避免了第一导电部与水平方向的半导体衬底之间形成寄生电容，提高了光电二极管器件的响应速度。

另一方面，由于光电二极管器件在晶圆上进行制作，故而避免第一导电部向光敏区以外延伸，还能够减小光电二极管器件在晶圆上的占用面积，提高晶圆的面积利用率。

再一方面，避免第一导电部向光敏区以外延伸，还能够缩短第一掺杂部上的电信号向外界传输的距离，提高电信号的传输可靠性。

可选的，光电二极管器件还包括第二导电部，贯穿金属布线层，且与第二掺杂部电连接；第二导电部在半导体衬底上的垂直投影，位于第二掺杂部在半导体衬底上垂直投影的范围内。如此设置，使得第二导电部的设置位置能够与第二掺杂部的设置位置相对应，避免了第二导电部沿平行于半导体衬底的方向与第二掺杂部之间发生偏移，也即是避免了第二导电部向光敏区以外延伸，从而进一步减小了光电二极管器件在晶圆上的占用面积，提高了晶圆的面积利用率，并且还能够缩短第二掺杂部上的电信号向外界传输的距离，提高电信号的传输可靠性。