[实用新型]光电二极管器件、感光芯片、光敏探测器和检测装置

权利要求书

1.一种光电二极管器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括背光面；所述半导体衬底内形成有间隔设置的第一掺杂部和第二掺杂部，所述第一掺杂部与所述半导体衬底的掺杂类型不同，所述第二掺杂部与所述半导体衬底的掺杂类型相同；

金属布线层，设置于所述背光面的一侧，且与所述半导体衬底相邻；以及，

第一导电部，贯穿所述金属布线层，且与所述第一掺杂部电连接；所述第一导电部在所述半导体衬底上的垂直投影，位于所述第一掺杂部在所述半导体衬底上垂直投影的范围内。

2.根据权利要求1所述的光电二极管器件，其特征在于，所述光电二极管器件还包括：

第二导电部，贯穿所述金属布线层，且与所述第二掺杂部电连接；所述第二导电部在所述半导体衬底上的垂直投影，位于所述第二掺杂部在所述半导体衬底上垂直投影的范围内。

3.根据权利要求2所述的光电二极管器件，其特征在于，

所述第一导电部包括：

第一引出部，贯穿所述金属布线层，且与所述第一掺杂部电连接；以及，

第一金属垫片，与所述第一引出部远离所述第一掺杂部的一端电连接，所述第一金属垫片远离所述第一引出部的一侧与所述金属布线层远离所述背光面的一侧相平齐；

所述第二导电部包括：

第二引出部，贯穿所述金属布线层，且与所述第二掺杂部电连接；以及，

第二金属垫片，与所述第二引出部远离所述第二掺杂部的一端电连接，所述第二金属垫片远离所述第二引出部的一侧与所述金属布线层远离所述背光面的一侧相平齐。

4.根据权利要求3所述的光电二极管器件，其特征在于，所述金属布线层包括层间介质，所述层间介质远离所述背光面的一侧开设有第一凹槽，所述第一引出部嵌入于所述第一凹槽内；

所述第一引出部的横截面形状为第一环形，所述横截面与所述背光面相平行；

所述第一金属垫片的数量为多个，多个所述第一金属垫片沿所述第一环形间隔排布。

5.根据权利要求4所述的光电二极管器件，其特征在于，所述第一环形为第一矩形环，多个所述第一金属垫片分别位于所述第一矩形环的四个顶点。

6.根据权利要求4所述的光电二极管器件，其特征在于，所述第二掺杂部在所述横截面上围设于所述第一掺杂部；

所述层间介质远离所述背光面的一侧还开设有第二凹槽，所述第二引出部嵌入于所述第二凹槽内，所述第二引出部的横截面为第二环形，所述第二环形围设于所述第一环形；

所述第二金属垫片的数量为多个，多个所述第二金属垫片沿所述第二环形间隔排布。

7.根据权利要求6所述的光电二极管器件，其特征在于，所述第二环形为第二矩形环，多个所述第二金属垫片分别位于所述第二矩形环的四个顶点。

8.根据权利要求3所述的光电二极管器件，其特征在于，所述金属布线层包括层间介质，所述层间介质远离所述背光面的一侧开设有多个第一通孔；

所述第一引出部的数量为多个，每个所述第一引出部嵌入于一个所述第一通孔内；

所述第一金属垫片的数量为多个，每个所述第一引出部远离所述第一掺杂部的一端与一个所述第一金属垫片电连接。

9.根据权利要求8所述的光电二极管器件，其特征在于，所述层间介质远离所述背光面的一侧还开设有多个第二通孔；

所述第二引出部的数量为多个，每个所述第二引出部嵌入于一个所述第二通孔内；

所述第二金属垫片的数量为多个，每个所述第二引出部远离所述第二掺杂部的一端与一个所述第二金属垫片电连接。

10.根据权利要求9所述的光电二极管器件，其特征在于，所述金属布线层还包括：

第一连接部，嵌入于所述层间介质内，并与多个所述第一引出部电连接；

第二连接部，嵌入于所述层间介质内，并与多个所述第二引出部电连接。