[实用新型]半导体工艺设备

说明书

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括；工艺腔室、排气管、第一吹扫组件及第二吹扫组件；排气管的进气端与工艺腔室连接，排气管的排气端与厂务排气连接，用于排出工艺腔室内的工艺气体；第一吹扫组件及第二吹扫组件沿排气管的排气方向依次设置，用于向排气管内通入稀释气体，以对工艺气体进行稀释，第二吹扫组件的出气方向与排气方向之间呈一预设夹角；第一吹扫组件还用于在排气管内形成一气流保护层，气流保护层位于第一吹扫组件及第二吹扫组件之间，用于阻挡第二吹扫组件通入的稀释气体进入工艺腔室内。本申请实施例实现了避免对工艺腔室的压力环境造成影响，进而提高了工艺效果。

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种半导体工艺设备。

背景技术

目前，半导体工艺设备的工艺腔室内需要通入特殊气体，例如在工艺腔室内输入氢气，并且最初的设计都是在工艺腔室把特殊气体进行稀释，但是实验发现当工艺腔室内特殊气体(氢气)的含量越高对工艺结果越好，所以在工艺腔室通入纯度较高的特殊气体，而将稀释工作放到工艺腔室的排气端。

现有技术中的排气管与工艺腔室连接，吹扫管路与排气管连接，用于向排气管内通入大量的吹扫气体，以对工艺腔室内排出的特殊气体进行稀释，并且通过排气管排放至厂务排气。但是在实际应用时，当吹扫管路的吹扫气体流量越大，吹扫管路的出气口在排气管内形成负腔对工艺腔室的压力影响就越大，经过测试显示最大压降达到29Torr(托，1托≈133.32帕)，从而严重影响工艺腔室压力环境，进而严重影响了工艺结果。

实用新型内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体工艺设备，用以解决现有技术存在的由于吹扫管路在排气管内形成负腔，从而严重影响工艺腔室压力环境及工艺结果的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括；工艺腔室、排气管、第一吹扫组件及第二吹扫组件；所述排气管的进气端与所述工艺腔室连接，所述排气管的排气端与厂务排气连接，用于排出所述工艺腔室内的工艺气体；所述第一吹扫组件及所述第二吹扫组件沿所述排气管的排气方向依次设置，用于向所述排气管内通入稀释气体，以对所述工艺气体进行稀释，所述第二吹扫组件的出气方向与所述排气方向之间呈一预设夹角；所述第一吹扫组件还用于在所述排气管内形成一气流保护层，所述气流保护层位于所述第一吹扫组件及所述第二吹扫组件之间，用于阻挡所述第二吹扫组件通入的稀释气体进入所述工艺腔室内。

于本申请的一实施例中，所述第一吹扫组件包括有第一导向管及第一连通部件，所述第一导向管设置于所述排气管内，并且沿所述排气管的轴向延伸设置；所述第一导向管为圆台结构；所述第一导向管相对较小的一端靠近所述进气端设置，并且通过所述第一连通部件与气源连接，所述第一导向管相对较大的一端用于在所述排气管内形成所述气流保护层。

于本申请的一实施例中，所述第二吹扫组件包括有第二导向管及第二连通部件，所述第二导向管设置于所述排气管内，并且沿所述排气管的轴向延伸设置；所述第二导向管的一端为封闭结构，另一端通过所述第二连通部件与气源连接，并且所述第二导向管的周壁上具有导流结构，用于使所述第二导向管的出气方向与所述排气方向之间呈所述预设夹角。

于本申请的一实施例中，所述第二连通部件位于所述第二导向管与所述第一导向管之间，并且所述第二连通部件与所述第一导向管相对较大的一端之间具有第一间距；所述第一导向管较大的一端沿周壁倾斜方向与所述排气管内周壁之间具有第二间距，所述第一间距大于所述第二间距。

于本申请的一实施例中，所述导流结构的出气方向沿所述排气管的径向设置，以使所述预设夹角呈90度；或者，所述导流结构的出气方向朝向所述排气端的方向倾斜，以使所述预设夹角为小于90度。

于本申请的一实施例中，所述导流结构的开口总面积为第一面积，所述第二导向管的导向通道的横截面积为第二面积，所述第一面积大于等于第二面积。