[实用新型]半导体处理装置

权利要求书

1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：

第一腔室部；

可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；

第一腔室部和第二腔室部中的至少一个包括主体部以及嵌入部，所述主体部的面向所述微腔室的表面上形成有嵌合槽，所述嵌入部嵌入所述嵌合槽内与所述主体部形成一个整体。

2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述嵌合槽为环形，所述嵌入部为与所述嵌合槽匹配的环形，所述半导体晶圆在容纳于所述微腔室内时，所述半导体晶圆的边缘部分对应所述嵌入部的表面，所述半导体晶圆的中间部分对应所述主体部的表面；或者，

所述嵌合槽为圆形，所述嵌入部为与所述嵌合槽匹配的圆形，所述半导体晶圆在容纳于所述微腔室内时，所述半导体晶圆的中间部分和边缘部分都对应所述嵌入部的表面。

3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，主体部在10-30度范围内的热膨胀系数小于所述嵌入部在10-30度范围内的热膨胀系数，

所述嵌入部为PTFE材质，所述主体部为PVC材质，将低温的嵌入部放置入所述主体部的嵌合槽中，在常温状态下时，所述嵌入部会膨胀从而撑满所述嵌合槽。

4.根据权利要求1-3任一所述的半导体处理装置，其特征在于，

第一腔室部具有第一槽道，第二腔室部具有第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通并与半导体晶圆的边缘共同形成边缘微处理空间，容纳于所述微腔室内的半导体晶圆的外缘伸入所述边缘微处理空间，该边缘微处理空间通过边缘处理通孔与外部相通，流体通过所述边缘处理通孔进入或流出所述边缘微处理空间，

第一槽道形成于第一腔室部的嵌入部上，第二槽道形成于第二腔室部的嵌入部上。

5.根据权利要求4所述的半导体处理装置，其特征在于，

第一腔室部上具有位于第一槽道外侧的密封接合部，第二腔室部上具有与密封接合部对应的接合凹槽，密封接合部形成于第一腔室部的嵌入部上，接合凹槽形成于第二腔室部的嵌入部上，

所述半导体晶圆的外缘的第一边缘表面、第二边缘表面和外端斜边面暴露于所述边缘微处理空间，所述边缘处理通孔中的一个或多个作为流体入口，所述边缘处理通孔中的一个或多个作为流体出口，

所述边缘微处理空间为环形或弧形，所述半导体晶圆的外缘伸入所述边缘微处理空间，所述边缘微处理空间为封闭空间，通过边缘处理通孔与外部相通；

所述第一槽道的内侧壁部顶面抵靠在靠近所述第一腔室部的所述半导体晶圆的第一边缘表面上，所述第二槽道的内侧壁部顶面抵靠在靠近所述第二腔室部的所述半导体晶圆的第二边缘表面上。

6.根据权利要求5所述的半导体处理装置，其特征在于，所述第一腔室部还具有形成于所述第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面的第一凹陷部，所述第一凹陷部位于所述第一槽道的内侧，所述第二腔室部还具有形成于所述第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面的第二凹陷部，所述第二凹陷部位于所述第二槽道的内侧，在所述第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述半导体晶圆容纳于所述微腔室内时，所述半导体晶圆的第二边缘表面的部分区域遮盖住所述第二凹陷部的顶部以形成第二内侧微空间，所述半导体晶圆的第一边缘表面的部分区域遮盖住所述第一凹陷部的顶部以形成第一内侧微空间，第一内侧微空间和第二内侧微处理空间位于所述边缘微处理空间的内侧，第一腔室部具有与第一凹陷部连通的第一内侧面处理通孔，第二腔室部具有与第二凹陷部连通的第二内侧面处理通孔。

7.根据权利要求6所述的半导体处理装置，其特征在于，第一凹陷部和第二凹陷部为环形或弧形，在利用所述边缘微处理空间腐蚀所述半导体晶圆的边缘时，向第一凹陷部和第二凹陷部内引入液体或气体，以防止所述边缘微处理空间内的液体向内渗透。