[实用新型]一种用于氮化镓单晶生长的反应装置

权利要求书

1.一种用于氮化镓单晶生长的反应装置，其特征在于，所述反应装置包括反应炉体，所述反应炉体内设有用于氮化镓单晶生长的反应腔，所述反应腔内设有隔板并通过隔板分割为第一反应空间和第二反应空间，所述第一反应空间用于溶解氮化镓形成离子化中间复合物，所述第二反应空间内设有籽晶用于生成氮化镓单晶，所述隔板用于将离子化中间复合物从第一反应空间转移至第二反应空间，所述炉体内还设有用于加热第一反应空间和第二反应空间的温控系统和用于提供反应腔内压强的加压系统。

2.根据权利要求1所述的一种用于氮化镓单晶生长的反应装置，其特征在于，所述第一反应空间的温度设为800-900℃，第二反应空间的温度设为650-800℃。

3.根据权利要求2所述的一种用于氮化镓单晶生长的反应装置，其特征在于，所述反应腔内压力设定在2-10MPa。

4.根据权利要求1-3所述的任意一种用于氮化镓单晶生长的反应装置，其特征在于，所述隔板上设有开口，所述开口为可调节形状和大小的开口。

5.根据权利要求4所述的一种用于氮化镓单晶生长的反应装置，其特征在于，籽晶用银丝悬挂或粘贴在隔板上方的空间壁上。

6.根据权利要求4所述的一种用于氮化镓单晶生长的反应装置，其特征在于，第二反应空间内设置有籽晶架，籽晶安装在所述籽晶架上。

7.根据权利要求6所述的一种用于氮化镓单晶生长的反应装置，其特征在于，所述反应炉体为坩埚。

8.根据权利要求7所述的一种用于氮化镓单晶生长的反应装置，其特征在于所述坩埚为氮化硼坩埚。

9.根据权利要求8所述的一种用于氮化镓单晶生长的反应装置，其特征在于，所述反应炉放置于高压釜内。

10.根据权利要求9所述的一种用于氮化镓单晶生长的反应装置，其特征在于，所述高压釜外设有保温层。