[实用新型]一种氮化镓单晶生长装置

权利要求书

1.一种氮化镓单晶生长装置，包括具有反应腔的反应炉体、温控系统和加压系统，其特征在于，所述反应腔内设有缓冲层，所述缓冲层将反应腔分割为第一反应空间和第二反应空间，并可通过缓冲层将反应物从第一反应空间转移至第二反应空间，所述温控系统包括设置在第一反应空间外侧的第一加热器、设置在第二反应空间外侧的第二加热器和设置在整个反应腔内的热电偶，所述温控系统控制使得第一反应空间和第二反应空间的温度不相同，所述加压系统包括加压装置和设置在反应腔内的压力传感器。

2.根据权利要求1所述的一种氮化镓单晶生长装置，其特征在于，反应腔一端有加压口，所述加压装置通过加压口与反应腔内的压力传感器连接。

3.根据权利要求1所述的一种氮化镓单晶生长装置，其特征在于，所述加热器通过加压口与加压系统连接。

4.根据权利要求1所述的一种氮化镓单晶生长装置，其特征在于，缓冲层的形状和开口可调节。

5.根据权利要求1所述的一种氮化镓单晶生长装置，其特征在于，缓冲层为具有开口的隔板。

6.根据权利要求1所述的一种氮化镓单晶生长装置，其特征在于，第二反应空间内设置有籽晶架，籽晶安装在所述籽晶架上。

7.根据权利要求1所述的一种氮化镓单晶生长装置，其特征在于，反应炉体为坩埚。

8.根据权利要求1所述的一种氮化镓单晶生长装置，其特征在于，反应炉体放置在高压釜内，所述高压釜由耐高温高压的特种钢材制成。

9.根据权利要求1所述的一种氮化镓单晶生长装置，其特征在于，高压釜由镍基高温合金制成。

10.根据权利要求1所述的一种氮化镓单晶生长装置，其特征在于，高压釜外部设置有保温层。