[实用新型]一种晶圆干燥装置

说明书

本实用新型提供了一种晶圆干燥装置，包括：盖槽，配置于盖槽内的分汽管道及弥散板，弥散板上设有若干弥散孔，弥散孔包括分别位于弥散板上下表面的进汽口、出汽口及贯通进汽口和出汽口的腔室，进汽口的口径大于出汽口的口径，混合汽体由分汽管道输送至弥散板，由弥散孔的进汽口进入，经过腔室整流后由出汽口输出。本实用新型提供的一种晶圆干燥装置，内置的弥散板上设置弥散孔，贯通弥散孔的进汽口和出汽口的腔室采用由宽到窄的方式配置，以达到对混合汽体进一步整流目的，同时可以使混合汽体喷射到晶圆表面时的速度较高，从而提高干燥工艺效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，更具体涉及一种晶圆干燥装置。

背景技术

在整个半导体芯片制造工艺过程中几乎每道工序都涉及到清洗工艺，伴随着集成度的不断提高，制造工序和清洗工序越来越多。一般来说，全部半导体制造中晶圆清洗工序高达20％～50％。

特别是随着芯片特征尺寸的不断缩小，器件的高度集成化，芯片制造过程中的各种污染，如颗粒、金属离子污染、薄膜污染、有机污染等，直接影响着器件的性能及良品率。因此，对清洗后晶圆表面洁净度、金属离子含量等技术指标提出更高要求。

在晶圆清洗之后，为了避免晶圆上残留的水分或者清洗液对后续工艺的影响，一般都会将晶圆放入干燥装置中进行干燥。干燥的目的是去除晶圆表面的液体，保证晶圆表面的洁净度，为晶圆进入下一道工艺做好准备。它是湿法清洗工艺中最后一个步骤，最终决定了晶圆清洗的表面质量。干燥工序若处理不当，极易导致晶圆碎裂、表面损伤、氧化、水渍、颗粒的引入和沾污等缺陷，影响器件的性能及良率，严重时甚至致使整个晶圆报废。

现有槽式批处理清洗设备的干燥方式主要有热N₂干燥、离心甩干干燥、慢提拉与IR干燥、IPAVapor干燥、HF/O₃干燥等。但每种干燥方式均具有自己的优势和弊端，例如，离心甩干的干燥方式由于在干燥过程中主要使用洁净空气，因此减少了氮气的消耗量，降低了使用成本，并且干燥效果好，晶圆表面洁净，颗粒少且不易产生水痕。不足之处是对于存在深窄沟渠的晶圆，干燥效果不甚理想，因此不适合超薄晶圆的干燥。

有鉴于此，有必要对现有技术中的晶圆干燥装置予以改进，以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于公开一种晶圆干燥装置，解决了现有的晶圆干燥装置对晶圆的干燥效果不佳的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种晶圆干燥装置，包括：盖槽，配置于盖槽内的分汽管道及弥散板，弥散板上设有若干弥散孔，弥散孔包括分别位于弥散板上下表面的进汽口、出汽口及贯通进汽口和出汽口的腔室，进汽口的口径大于出汽口的口径，混合汽体由分汽管道输送至弥散板，由弥散孔的进汽口进入，经过腔室整流后由出汽口输出。

作为本实用新型的进一步改进，所述腔室包括顺序连接的至少两个腔体，其中至少一个所述腔体的口径渐变。

作为本实用新型的进一步改进，所述腔室包括顺序连接的第一腔体、第二腔体、第三腔体及第四腔体，所述第一腔体和第三腔体为内径渐缩的截锥状，所述第二腔体和所述第四腔体为直圆柱状。

作为本实用新型的进一步改进，所述盖槽包括环状的主体及盖设于主体上方的盖板，所述盖板具有上盖及竖直连接于所述上盖的围板。

作为本实用新型的进一步改进，所述弥散板连接于所述围板的下端面，所述弥散板与所述盖板连接形成收容腔，所述分汽管道连接于所述收容腔内。

作为本实用新型的进一步改进，所述弥散板由PPS、PEEK或PVC制成，所述弥散板的内表面或外表面涂覆有疏水性涂层。

作为本实用新型的进一步改进，所述分汽管道的延伸方向与所述盖槽的纵向延伸方向相同，所述分汽管道的两端固定于所述盖槽内。