[实用新型]一种晶圆干燥装置有效
| 申请号: | 202122480194.8 | 申请日: | 2021-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN216563040U | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
| 发明(设计)人: | 刘国强;蔡超;宗君颖 | 申请(专利权)人: | 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/67;F26B21/00 |
| 代理公司: | 苏州友佳知识产权代理事务所(普通合伙) 32351 | 代理人: | 龚心怡 |
| 地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 干燥 装置 | ||
1.一种晶圆干燥装置,其特征在于,包括:盖槽,配置于盖槽内的分汽管道及弥散板,弥散板上设有若干弥散孔,弥散孔包括分别位于弥散板上下表面的进汽口、出汽口及贯通进汽口和出汽口的腔室,进汽口的口径大于出汽口的口径,混合汽体由分汽管道输送至弥散板,由弥散孔的进汽口进入,经过腔室整流后由出汽口输出。
2.根据权利要求1所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述腔室包括顺序连接的至少两个腔体,其中至少一个所述腔体的口径渐变。
3.根据权利要求2所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述腔室包括顺序连接的第一腔体、第二腔体、第三腔体及第四腔体,所述第一腔体和第三腔体为内径渐缩的截锥状,所述第二腔体和所述第四腔体为直圆柱状。
4.根据权利要求1所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述盖槽包括环状的主体及盖设于所述主体上方的盖板,所述盖板具有上盖及竖直连接于所述上盖的围板。
5.根据权利要求4所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述弥散板连接于所述围板的下端面,所述弥散板与所述盖板连接形成收容腔,所述分汽管道连接于所述收容腔内。
6.根据权利要求1所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述弥散板由PPS、PEEK或PVC制成,所述弥散板的内表面或外表面涂覆有疏水性涂层。
7.根据权利要求1所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述分汽管道的延伸方向与所述盖槽的纵向延伸方向相同,所述分汽管道的两端固定于所述盖槽内。
8.根据权利要求7所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述分汽管道包括设置于所述分汽管道一端的主进汽口,及排布于所述分汽管道侧部的若干个出汽孔。
9.根据权利要求8所述的晶圆干燥装置,其特征在于,若干个所述出汽孔沿所述分汽管道的延伸方向排列成两行,两行所述出汽孔相对于所述分汽管道的纵向轴剖面对称设置。
10.根据权利要求9所述的晶圆干燥装置,其特征在于,所述出汽孔的中轴线与竖直方向的夹角α设置为大于15°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





