[实用新型]外延片承载装置和化学气相沉积设备有效
申请号: | 202122182922.7 | 申请日: | 2021-09-09 |
公开(公告)号: | CN215757732U | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 程凯;刘凯 | 申请(专利权)人: | 苏州晶湛半导体有限公司 |
主分类号: | C30B25/12 | 分类号: | C30B25/12;C30B25/10;C30B25/16;H01L21/683;C30B28/14 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 秦卫中 |
地址: | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外延 承载 装置 化学 沉积 设备 | ||
本实用新型提供了一种外延片承载装置和化学气相沉积设备,涉及气相沉积领域。该外延片承载装置包括位于衬底和加热部件之间的石墨盘以及与石墨盘可拆卸连接的高度调整部件,其中,上述石墨盘用于承载衬底,上述高度调整部件用于调整衬底相对于加热部件的放置角度。本实用新型实施例通过设置与石墨盘可拆卸连接的高度调整部件,实现了利用高度调整部件调整衬底相对于加热部件的放置角度的目的,消除了衬底底面与加热部件顶面之间的角度偏差,使衬底底面与加热部件顶面平行,进而使衬底不同区域的受热程度相同,提高了衬底不同区域温度的均匀性,进而提高了衬底上所生长的外延片的质量。
技术领域
本实用新型涉及气相沉积领域,具体涉及一种外延片承载装置和化学气相沉积设备。
背景技术
目前,外延片的制作工艺通常采用化学气相外延沉积工艺,在化学气相外延沉积设备上设置有石墨盘,在石墨盘内对应放置一片衬底,通过化学气相外延沉积设备的加热部件,使得衬底上表面与来自于喷头的反应气体进行化学反应,从而在衬底表面沉积相应的外延片。
然而,由于制作工艺的限制,衬底底面与加热部件顶面之间会存在不可避免的角度偏差,导致衬底不同区域的受热程度不同,进而造成衬底不同温度区域的外延片的质量存在差异。因此,如何改进现有的制作工艺,提高衬底整体受热的均匀性成为了亟待解决的问题。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,提出了本实用新型。本实用新型实施例提供了一种外延片承载装置和化学气相沉积设备。
第一方面,本实用新型一实施例提供了一种外延片承载装置,该外延片承载装置包括:位于衬底和加热部件之间的石墨盘,石墨盘用于承载衬底;与石墨盘可拆卸连接的高度调整部件,高度调整部件用于调整衬底相对于加热部件的放置角度。
结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,高度调整部件位于石墨盘的边缘预设范围。
结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,高度调整部件的数量为多个,多个高度调整部件围绕石墨盘的中心轴呈均匀圆周分布。
结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,高度调整部件包括支撑单元,支撑单元用于支撑衬底。
结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,高度调整部件还包括稳固单元,稳固单元设置于支撑单元远离加热部件的一端,稳固单元用于增大衬底与高度调整部件之间的接触面积。
结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,稳固单元与衬底相邻的表面平行于加热部件靠近石墨盘的表面。
结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,石墨盘与衬底相邻的表面设置有与高度调整部件适配的凹槽,支撑单元部分位于凹槽内。
结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,高度调整部件的数量为多个,凹槽的数量亦为多个,多个高度调整部件和多个凹槽呈一一对应关系,多个凹槽的深度不同,并且,多个凹槽各自对应的高度调整部件的高度相同。
结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,高度调整部件的数量为多个,凹槽的数量亦为多个,多个高度调整部件和多个凹槽呈一一对应关系,多个凹槽各自对应的高度调整部件的高度不同,并且,多个凹槽的深度相同。
第二方面,本实用新型一实施例提供了一种化学气相沉积设备,该化学气相沉积设备包括反应腔室,该反应腔室内装载有上述任一实施例提及的外延片承载装置。
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