[实用新型]一种单晶PERC电池背激光图形有效
申请号: | 202121868816.8 | 申请日: | 2021-08-11 |
公开(公告)号: | CN216054732U | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 刘杰;张泽泽;申争浩;刘栩瑞;刘照敏 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 perc 电池 激光 图形 | ||
本实用新型涉及单晶PERC电池生产领域。一种单晶PERC电池背激光图形,该单晶PERC电池背部包括多条激光开槽线组成的激光开槽区和激光开槽线之间的间隔区域组成的激光非开槽区,在该单晶PERC电池背部设置有多个矩形镂空组成的矩形镂空矩阵,每个矩形镂空中都设置有电极,激光开槽线平行于每个矩形镂空的短边。本实用新型开槽面积比控制在1‑2%,电池效率高。
技术领域
本实用新型涉及单晶PERC电池生产领域。
背景技术
PERC(Passivated Emitterand Rear Cell)电池采用背面钝化技术有效降低表面复合速率,达到提高转换效率的目的。此工艺使电池片转换效率提升得益于背表面介质膜钝化,可以大大降低背表面复合速度,同时提升了背表面的光反射。
激光开槽主要是将背面的氮化硅和氧化铝击穿,使得背电场浆料与硅基体接触形成一个良好的局部背场。局部背场技术以牺牲FF为代价,通过提高Voc和Isc换取转换效率的提升,因此激光开槽工艺的关键在于,优化设计背面接触图案,在形成良好的局部背场,以保证高质量的钝化的基础上,优化金属化分数(局部接触尺寸和间隔),权衡Voc的提升和FF的下降,找到复合损失和欧姆损失的平衡点。目前行业内背激光开槽面积比在2%-5%,通过大量实验发现这个比例不是最佳比例,这不仅会使硅基体损伤更多,背面钝化质量下降,Uoc(开路电压)和Ics(短路电流)下降,电池片转换效率偏低,也让组件端CTM(组件输出功率与电池片功率总和的百分比)更低。因此,如何设置一个合理的激光开槽图形,是提高PERC太阳电池片转换效率的关键,也是提高组件端CTM的一个有效的方式。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是:如何控制单晶PERC电池背部开槽面积比控制在1-2%,以解决现有技术下背激光开槽面积比在2%-5%,导致硅基体损伤更多,背面钝化质量下降,电池片转换效率偏低,组件端CTM(组件输出功率与电池片功率总和的百分比)更低。
本实用新型所采用的技术方案是:一种单晶PERC电池背激光图形,该单晶PERC电池背部包括多条激光开槽线组成的激光开槽区和激光开槽线之间的间隔区域组成的激光非开槽区,在该单晶PERC电池背部设置有多个矩形镂空组成的矩形镂空矩阵,每个矩形镂空中都设置有电极,激光开槽线平行于每个矩形镂空的短边。
激光开槽线与矩形镂空接触,矩形镂空的左右两端距相邻最近的激光开槽线0.2mm-2.0mm,矩形镂空的上下两端距相邻最近的激光开槽线0.2-2.0mm,激光开槽线的线宽为20um-50um。
相邻两条激光开槽线间距为0.3mm-2.0mm。
每条激光开槽线都为虚线,虚实比为3:2。
本实用新型的有益效果是:本实用新型开槽面积比控制在1-2%,相比现有技术下背激光开槽面积比在2%-5%,硅基体损伤更小,背面钝化质量高,电池片转换效率高,组件端CTM(组件输出功率与电池片功率总和的百分比)高。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是图1的A处放大图;
其中,1、矩形镂空,2、实线段,3、虚线段。
具体实施方式
实施例1:
激光开槽线的线宽为30um,虚实比为:3:2,背电极宽度为3.5mm,背电极长度为8.4mm相邻两条激光开槽线的间距为1.0mm。激光开槽线的总面积占电池片表面积的1.9%。
实施例2:
激光开槽线的线宽为30um,虚实比为:3:2,背电极宽度为3.5mm,背电极长度为8.4mm相邻两条激光开槽线的间距为1.7mm。激光开槽线的总面积占电池片表面积的1.2%。
制绒前将硅片精准分片,除了背面激光开槽工艺不同外,其余电池片工序条件确保一样,测得的电性能参数如上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的