[实用新型]像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片

权利要求书

1.一种像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片，其特征在于，所述铟镓砷光敏芯片包括依次设置于衬底的缓冲层、吸收层、帽层、钝化层、电极层以及像元阵列，所述像元阵列包含多个像元，每个像元之间电极独立；所述每个像元内的电极独立。

2.如权利要求1所述的像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片，其特征在于，所述每个像元之间的所述帽层、所述吸收层和所述缓冲层不接触；

所述每个像元包括感光区和非感光区，所述感光区和所述非感光区之间的所述帽层、所述吸收层不接触。

3.如权利要求1所述的像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片，其特征在于，所述衬底、所述缓冲层、所述帽层均为InP材料；所述吸收层为InGaAs材料；所述钝化层为氮化硅材料。

4.如权利要求2所述的像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片，其特征在于，

所述衬底为半绝缘型材料；

和/或，

所述缓冲层为n型材料；

和/或，

所述吸收层为n型材料。

5.如权利要求1所述的像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片，其特征在于，

所述缓冲层的电子浓度范围包括1×10¹⁸cm^-3-5×10¹⁸cm^-3；

和/或，

所述吸收层的电子浓度范围包括1×10¹⁵cm^-3-1×10¹⁷cm^-3。

6.如权利要求1所述的像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片，其特征在于，

所述衬底的厚度范围包括300μm-800μm；

和/或，

所述缓冲层的厚度范围包括1μm-3μm；

和/或，

所述吸收层的厚度范围包括1μm-3μm；

和/或，

所述帽层的厚度范围包括0.5μm-2μm；

和/或，

所述钝化层的厚度范围包括0.2μm-1μm。

7.如权利要求1所述的像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片，其特征在于，所述电极层包括p型欧姆接触电极和/或n型欧姆接触电极。

8.如权利要求7所述的像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片，其特征在于，所述p型欧姆接触电极位于所述帽层；所述n型欧姆接触电极位于所述缓冲层。

9.如权利要求1所述的像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片，其特征在于，所述像元阵列中的相邻像元之间的中心距大于单个像元在所述像元阵列的轴向的感光区长度。