[实用新型]照明装置及具有照明装置的客机、微型LED显示装置

说明书

本实用新型涉及照明装置及具有照明装置的客机、微型LED显示装置。根据一实施例的照明装置，包含发光二极管，所述发光二极管包括：n型氮化物半导体层；活性层，位于所述n型氮化物半导体层上；以及p型氮化物半导体层，位于所述活性层上，其中，所述发光二极管根据所输入的电流发出能够从黄光变为白光的光。

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管，尤其涉及一种在单芯片级别发出多个波段的光的发光二极管及其应用产品。

背景技术

氮化物半导体用作显示装置、信号灯、照明装置或光通信装置的光源，主要被使用在发出蓝色光或绿色光的发光二极管(light emitting diode)或激光二极管(laserdiode)。并且，氮化物半导体也可以用于异质结双极晶体管 (HBT)及高电子迁移率晶体管(HEMT)等。

通常，利用氮化物半导体的发光二极管具有在N接触层与P接触层之间具有量子阱结构的异质接合结构。发光二极管根据量子阱结构内的阱层的组成发光。为了提高内部量子效率并减少由光吸收引起的损失，发光二极管被设计为发射具有单峰的光谱的光，即单色光。

然而，通常，照明被实现为混色光(例如白光)。尤其，为了根据人的心理状态来调节色温及亮度而需要实现多种混色光(如感性照明等)。需要混色光的照明无法通过单峰的单色光来实现。因此，通常采用同时使用能够发出彼此不同的单色光的多个发光二极管来实现白光的技术或使用对从发光二极管发出的光进行波长转换的荧光体来实现白光的技术。

磷光体的使用伴随着诸如磷光体本身的成本或效率降低的问题，这被称为斯托克斯位移。尤其，伴随着用于将荧光体涂布于发光二极管上的诸多工艺上的问题以及负载荧光体的载体的黄变等问题。

并且，通过混合多个发光二极管来制造照明装置会使工艺复杂，并且存在需要准备由彼此不同的材料制造的发光二极管的不便。

据此，如果利用单芯片的发光二极管而能够实现具有多波段的光谱的光，则无需使用多个发光二极管，并且无需使用荧光体，从而能够解决现有的诸多问题。

此外，在微型LED显示器领域中，例如，将发出红光、绿光及蓝光的微型LED排列而构成像素。当这些微型LED都进行操作时，能够实现白光。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够在单芯片级别发出多频带的光的新型结构的发光二极管。

本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够利用单芯片级别的发光二极管来提供多种颜色的光的照明装置。

本实用新型要解决的另一个技术问题是提供一种新型结构的微型LED 显示器。

根据一实施例的照明装置包括发光二极管，其中，所述发光二极管包括： n型氮化物半导体层；活性层，位于所述n型氮化物半导体层上；以及p型氮化物半导体层，位于所述活性层上，其中，所述发光二极管根据所输入的电流发出能够从黄光变为白光的光。

所述发光二极管可以随着驱动电流的增加而发出两个峰值波长的光。

发光二极管还可以包括：V形坑生成层，布置于所述n型氮化物半导体层与所述活性层之间，其中，所述活性层的一部分可以形成于所述V形坑生成层的V形坑内。

所述V形坑生成层可以具有大于450nm的厚度，形成于所述V形坑生成层的V形坑可以包括具有大于230nm的入口宽度的V形坑。

所述发光二极管还可以包括：p型Al_xGa_1-xN层，夹设于所述活性层与所述p型氮化物半导体层之间，其中，所述p型Al_xGa_1-xN层内的Al的组成比 x可以大于0且小于0.1。

所述p型Al_xGa_1-xN层可以具有小于100nm的厚度。