[实用新型]用于固定晶圆的边缘挤压装置和刻蚀设备有效
| 申请号: | 202121228291.1 | 申请日: | 2021-06-02 |
| 公开(公告)号: | CN216120256U | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
| 发明(设计)人: | 孟庆国;李娜;朱小庆;许开东 | 申请(专利权)人: | 北京鲁汶半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 济南文衡创服知识产权代理事务所(普通合伙) 37323 | 代理人: | 赵可 |
| 地址: | 221300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 固定 边缘 挤压 装置 刻蚀 设备 | ||
1.一种用于固定晶圆的边缘挤压装置,其特征在于,所述晶圆放置在腔体内,所述边缘挤压装置对所述晶圆的外边缘进行挤压固定,所述边缘挤压装置包括相对布置的两个,每个所述边缘挤压装置均包括:
边缘挤压件,所述边缘挤压件位于所述腔体内,所述边缘挤压件可抵接在所述晶圆的外周侧面上;
驱动装置,所述驱动装置和所述边缘挤压件相连以驱动所述边缘挤压件在打开位置和挤压位置之间移动,当所述腔体内放置且固定所述晶圆之前所述驱动装置驱动所述边缘挤压件处于所述打开位置,当所述晶圆在所述腔体内放置完毕后,所述驱动装置驱动所述边缘挤压件由所述打开位置移动至所述挤压位置。
2.根据权利要求1所述的用于固定晶圆的边缘挤压装置,其特征在于,当取出所述晶圆后所述驱动装置驱动所述边缘挤压件沿着径向向内由所述打开位置移动至过冲位置,需要放置所述晶圆时所述驱动装置驱动所述边缘挤压件沿着径向向外由所述过冲位置移动至所述打开位置,在所述过冲位置时两个所述边缘挤压件内边缘所限定的圆内径为d1,在所述挤压位置时两个所述边缘挤压件内边缘所限定的圆内径为d2,其中d1<d2。
3.根据权利要求1所述的用于固定晶圆的边缘挤压装置,其特征在于,所述边缘挤压件和所述晶圆的外周边缘随形。
4.根据权利要求1所述的用于固定晶圆的边缘挤压装置,其特征在于,所述边缘挤压件上表面的高度高于所述晶圆上表面的高度。
5.根据权利要求1所述的用于固定晶圆的边缘挤压装置,其特征在于,所述驱动装置和所述边缘挤压件处于同一水平高度内。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的用于固定晶圆的边缘挤压装置,其特征在于,还包括位置检测器,所述位置检测器和所述驱动装置相连用以对所述边缘挤压件的位置进行检测。
7.根据权利要求1所述的用于固定晶圆的边缘挤压装置,其特征在于,所述驱动装置包括:气缸和支撑杆,所述气缸位于所述腔体的外周侧,在所述腔体的外周壁上开设有通孔,所述支撑杆穿过所述通孔且连接在所述边缘挤压件和所述气缸之间,在所述通孔内壁和所述支撑杆之间设有密封件。
8.根据权利要求7所述的用于固定晶圆的边缘挤压装置,其特征在于,所述密封件形成为套设在所述支撑杆上的波纹管。
9.根据权利要求1所述的用于固定晶圆的边缘挤压装置,其特征在于,还包括:连接支架,所述连接支架设在所述腔体的外周侧,所述连接支架连接在两个所述驱动装置之间。
10.一种刻蚀设备,其特征在于,包括:
根据权利要求1-9中任一项所述的用于固定晶圆的边缘挤压装置;
载片台,所述载片台位于所述腔体内,所述载片台用于支撑所述晶圆;
顶针装置,所述顶针装置穿设在所述载片台上用于将所述晶圆放置在所述载片台上,或者从所述载片台上顶起所述晶圆;
当所述顶针装置将所述晶圆放置在所述载片台上时,所述边缘挤压装置由所述打开位置移动至所述挤压位置,以对所述晶圆外边缘挤压固定;
当需要取出所述晶圆时,所述边缘挤压装置由所述挤压位置移动至所述打开位置,以释放所述晶圆外边缘且便于所述顶针装置顶起所述晶圆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京鲁汶半导体科技有限公司,未经北京鲁汶半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121228291.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





