[实用新型]超结MOSFET功率器件的版图结构有效
| 申请号： | 202121100111.1 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN214956887U | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈雪萌;王艳颖;钱晓霞;汤艺 | 申请（专利权）人： | 上海道之科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 陈琦;陈继亮 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 功率 器件 版图 结构 | ||
【权利要求书】：
1.超结MOSFET功率器件的版图结构，包括MOSFET版图结构，其特征在于：所述MOSFET版图结构主要包括有源区及设置在有源区相邻两侧的终端结构，所述终端结构由若干终端小模块组合而成，所述终端小模块包括横向或纵向布置的第一模块和第二模块，第一模块和第二模块的大小相同且第一模块和第二模块均由若干P柱和N柱组合而成，相邻两终端小模块之间的第一模块和第二模块交错布置使得终端结构中的P柱和N柱互相补偿耗尽，在功率器件的四周形成击穿电压一致的终端结构。
2.根据权利要求1所述的超结MOSFET功率器件的版图结构，其特征在于：所述第一模块由纵向交错布置的若干P柱和N柱组合而成，所述第二模块由横向交错布置的若干P柱和N柱组合而成。
3.根据权利要求1或2所述的超结MOSFET功率器件的版图结构，其特征在于：所述终端小模块内的P柱与N柱之间设置有间隙，且该间隙的大小可根据击穿电压需求进行调整以调节器件的终端击穿电压。
4.根据权利要求3所述的超结MOSFET功率器件的版图结构，其特征在于：所述MOSFET版图结构的终端结构内的P柱为沟槽，且该MOSFET版图适用于沟槽型MOSFET或屏蔽栅MOSFET功率器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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