[实用新型]一种封装结构有效

专利信息
申请号: 202120802604.3 申请日: 2021-04-19
公开(公告)号: CN214672612U 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 何永松;吴日新;顾东华 申请(专利权)人: 上海燧原科技有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/31;H01L23/488
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201306 上海市浦东新区自由*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种封装结构,其特征在于,包括:

连接模块,所述连接模块包括:基底、以及位于所述基底一侧且沿垂直于所述基底的方向交替层叠设置的至少一层第一导电层和至少两层过孔层,其中,任一层所述第一导电层包括多个间隔设置的第一导电块,任一层所述过孔层包括多个间隔设置的第一过孔,所述连接模块设置有沿垂直于所述基底的方向延伸且交替排列的多个第一电容子电极和多个第二电容子电极,任一所述电容子电极包括沿垂直于所述基底的方向交替排列且电连接的第一导电块和第一过孔;

半导体芯片,所述半导体芯片位于所述连接模块的一侧,所述连接模块的第一导电层和过孔层位于所述连接模块的基底和所述半导体芯片之间,所述多个第一电容子电极与所述半导体芯片的电源焊盘电连接,所述多个第二电容子电极与所述半导体芯片的接地焊盘电连接。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括第一封装基板,位于所述连接模块远离所述半导体芯片的一侧,

所述基底设置有贯穿所述基底的多个第二过孔,所述多个第一电容子电极和所述多个第二电容子电极通过所述多个第二过孔与所述第一封装基板电连接。

3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述半导体芯片的个数为至少两个,

所述第一导电层还包括多条第一信号传输线,所述半导体芯片之间通过所述多条第一信号传输线电连接。

4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,任一层所述过孔层的多个第一过孔呈阵列排布;任一层所述第一导电层的多个第一导电块呈阵列排布;所述多个第一电容子电极和所述多个第二电容子电极呈阵列排布,所述阵列的行方向和列方向均垂直于所述基底的厚度方向,所述多个第一电容子电极和所述多个第二电容子电极沿行方向交替排列,所述多个第一电容子电极和所述多个第二电容子电极沿列方向交替排列,所述阵列的行方向垂直于列方向。

5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括:封装衬底、线路板和第二封装基板,所述连接模块嵌入所述封装衬底中,所述线路板位于所述连接模块和所述半导体芯片之间,所述连接模块和所述封装衬底位于所述第二封装基板和所述线路板之间;

所述多个第一电容子电极通过所述线路板的第二传输线与所述半导体芯片的电源焊盘电连接,所述多个第二电容子电极通过所述线路板的第三传输线与所述半导体芯片的接地焊盘电连接,

所述封装衬底设置有贯穿所述封装衬底的多个第三过孔,所述线路板的第二传输线和第三传输线通过所述多个第三过孔与所述第二封装基板电连接;

所述线路板为单层线路板或多层线路板。

6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述基底设置有贯穿所述基底的多个第四过孔,所述多个第一电容子电极和所述多个第二电容子电极通过所述多个第四过孔与所述第二封装基板电连接。

7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述连接模块还包括第二导电层和第三导电层,所述第一导电层、所述过孔层、所述第二导电层和所述第三导电层位于所述基底的同一侧;所述第一导电层和所述过孔层位于所述第二导电层和所述第三导电层之间;

所述第二导电层包括间隔设置且交替排列的多个第二导电块和多个第三导电块;任一所述第二导电块与和其沿垂直于所述基底的方向相对的至少两个第一电容子电极电连接;任一所述第三导电块与和其沿垂直于所述基底的方向相对的至少两个第二电容子电极电连接;

所述第三导电层包括间隔设置且交替排列的多个第四导电块和多个第五导电块,任一所述第四导电块与和其沿垂直于所述基底的方向相对的至少两个第一电容子电极电连接;任一所述第五导电块与和其沿垂直于所述基底的方向相对的至少两个第二电容子电极电连接;

沿垂直于所述基底的方向部分相对的第二导电块和第四导电块通过与该第二导电块和该第四导电块沿垂直于所述基底的方向相对的第一电容子电极电连接;沿垂直于所述基底的方向部分相对的第三导电块与第五导电块通过与该第三导电块和该第五导电块沿垂直于所述基底的方向相对的第二电容子电极电连接;

所述多个第二导电块与所述半导体芯片的电源焊盘电连接,所述多个第三导电块与所述半导体芯片的接地焊盘电连接。

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