[实用新型]一种用于进行半导体工艺的反应腔室

说明书

一种用于进行半导体工艺的反应腔室，包括环绕反应腔室内壁设置的下遮蔽件、用于承载待加工晶圆且能够升降的承载装置和用于在进行半导体工艺时将晶圆固定在承载装置上的机械压环，机械压环包括压环内环和压环外环；压环外环的外周边缘环绕设置于下遮蔽件上；压环内环包括内环主体和设于内环主体的外周的搭接部，搭接部搭接于压环外环的内周边缘的上表面；承载装置能够上升以将压环内环顶起，带动搭接部脱离压环外环，以使压环内环压在晶圆的边缘。本实用新型中，压环内环搭接于压环外环并能够被承载装置上升顶起而脱离压环外环，从而在压住晶圆防止其工艺过程中发成位移的同时，减少直接作用于晶圆上的重量，使晶圆被压碎的风险大大降低。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，更具体地，涉及一种用于进行半导体工艺的反应腔室。

背景技术

磁控溅射，又称为物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)，是集成电路制造过程中沉积金属层和相关材料广泛采用的方法。目前硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技术的应用越来越广泛，该技术大大降低了芯片之间的互连延迟，并且是三维集成实现的关键技术。PVD在TSV中的应用主要是在硅通孔内部沉积阻挡层和铜籽晶层。在硅通孔的磁控溅射中，通常采用机械压环(clamp ring)对硅片晶圆进行固定，尤其是用于封装领域的PVD设备中，晶圆，即待加工件放置在基座，即承载装置上，工艺时，基座上升至晶圆被机械压环压住，以防止晶圆在工艺过程中发成位移，而现有技术中，机械压环尺寸及重量过大，会导致晶圆被压碎的现象。机械压环的壁厚已经很薄无法通过减薄来降低重量。

因此，需要设计一种新型用于进行半导体工艺的反应腔室，能够降低晶圆被压碎的风险。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种用于进行半导体工艺的反应腔室，能够降低晶圆被压碎的风险。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种用于进行半导体工艺的反应腔室，包括环绕所述反应腔室内壁设置的下遮蔽件、用于承载待加工晶圆且能够升降的承载装置和用于在进行半导体工艺时将所述晶圆固定在所述承载装置上的机械压环，所述机械压环包括压环内环和压环外环；其中，

所述压环外环的外周边缘环绕设置在所述下遮蔽件上；

所述压环内环包括内环主体和设于所述内环主体的外周的搭接部，所述搭接部搭接于所述压环外环的内周边缘的上表面；

所述承载装置能够上升以将所述压环内环顶起，带动所述搭接部脱离所述压环外环，以使所述压环内环压在所述晶圆的边缘。

优选地，所述压环外环的内周边缘的上表面设有第一环形槽，所述搭接部的边缘遮蔽部分所述第一环形槽。

优选地，所述压环外环的内周边缘处设有多个凸起，用于支撑所述压环内环。

优选地，所述压环外环的外周边缘设有第二环形槽，所述下遮蔽件的一端固定于所述反应腔室的内壁，所述下遮蔽件的另一端具有与所述第二环形槽开口方向相反的环形弯折部，所述压环外环与所述下遮蔽件通过第二槽相配合以形成迷宫结构。

优选地，所述压环外环的内周壁上设有多个缺口，所述内环主体的外周壁设有多个与所述缺口一一对应的凸台。

优选地，所述缺口的形状包括弧形、半圆形或矩形中的任意一种或组合；所述凸台具有与对应所述缺口相匹配的形状。

优选地，所述承载装置为圆盘形，所述承载装置的外周设有沿径向向外伸出的环形凸缘，所述环形凸缘的外周设有环形的第一斜面；

所述压环外环的下表面设有与所述压环外环同心的基座孔，所述基座孔由下向上依次包括直孔段和斜孔段，当所述承载装置上升至与所述机械压环接触时，所述承载装置位于所述基座孔内，且所述斜孔段能够与设于所述第一斜面相贴合。