[实用新型]一种用于进行半导体工艺的反应腔室

权利要求书

1.一种用于进行半导体工艺的反应腔室，包括环绕所述反应腔室内壁设置的下遮蔽件(1)、用于承载待加工晶圆(4)且能够升降的承载装置(3)和用于在进行半导体工艺时将所述晶圆(4)固定在所述承载装置上的机械压环，其特征在于，所述机械压环包括压环内环(5)和压环外环(2)；其中，

所述压环外环(2)的外周边缘环绕设置于所述下遮蔽件(1)上；

所述压环内环(5)包括内环主体(52)和设于所述内环主体(52)的外周的搭接部(51)，所述搭接部(51)搭接于所述压环外环(2)的内周边缘的上表面；

所述承载装置(3)能够上升以将所述压环内环(5)顶起，带动所述搭接部(51)脱离所述压环外环(2)，以使所述压环内环(5)压在所述晶圆(4)的边缘。

2.根据权利要求1所述的用于进行半导体工艺的反应腔室，其特征在于，所述压环外环(2)内周边缘的上表面设有第一环形槽(21)，所述搭接部(51)的边缘遮蔽部分所述第一环形槽(21)。

3.根据权利要求1所述的用于进行半导体工艺的反应腔室，其特征在于，所述压环外环(2)的内周边缘处设有多个凸起(22)，用于支撑所述压环内环(5)。

4.根据权利要求1所述的用于进行半导体工艺的反应腔室，其特征在于，所述压环外环(2)的外周边缘设有第二环形槽(23)，所述下遮蔽件(1)的一端固定于所述反应腔室的内壁，所述下遮蔽件(1)的另一端具有与所述第二环形槽(23)开口方向相反的环形弯折部，所述压环外环(2)与所述下遮蔽件(1)通过所述第二环形槽(23)与所述环形弯折部相配合以形成迷宫结构。

5.根据权利要求1所述的用于进行半导体工艺的反应腔室，其特征在于，所述压环外环(2)的内周壁上设有多个缺口(24)，所述内环主体(52)的外周壁设有多个与所述缺口(24)一一对应的凸台(53)。

6.根据权利要求5所述的用于进行半导体工艺的反应腔室，其特征在于，所述缺口(24)的形状包括弧形、半圆形或矩形中的任意一种或组合；所述凸台(53)具有与对应所述缺口(24)相匹配的形状。

7.根据权利要求1所述的用于进行半导体工艺的反应腔室，其特征在于，所述承载装置(3)为圆盘形，所述承载装置(3)的外周设有沿径向向外伸出的环形凸缘，所述环形凸缘的外周设有环形的第一斜面；

所述压环外环(2)的下表面设有与所述压环外环(2)同心的基座孔(25)，所述基座孔(25)由下向上依次包括直孔段和斜孔段，当所述承载装置(3)上升至与所述机械压环接触时，所述承载装置(3)位于所述基座孔(25)内，且所述斜孔段能够与所述第一斜面相贴合。

8.根据权利要求7所述的用于进行半导体工艺的反应腔室，其特征在于，所述基座孔(25)的孔底设有多个定位孔(26)，所述环形凸缘上设置有多个与所述定位孔(26)一一对应的定位销。

9.根据权利要求1所述的用于进行半导体工艺的反应腔室，其特征在于，所述承载装置(3)的上表面设有环形的凸起部，所述凸起部的外周壁设有环形的第二斜面；

所述压环内环(5)的下表面设有第三环形槽(54)，所述第三环形槽(54)的外周壁为斜面，当所述承载装置(3)上升至与所述机械压环接触时，所述凸起部位于所述第三环形槽(54)内，所述第三环形槽(54)的外周壁能够与所述第二斜面相贴合。

10.根据权利要求1所述的用于进行半导体工艺的反应腔室，其特征在于，所述内环主体(52)中心设有通孔，所述通孔的边缘设有向所述压环内环(5)的中心伸出的多个压爪(55)，用于压住所述晶圆(4)的边缘。