[实用新型]高频模块以及通信装置有效
申请号: | 202120620020.4 | 申请日: | 2021-03-26 |
公开(公告)号: | CN214756335U | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 松本直也;篠崎崇行 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 模块 以及 通信 装置 | ||
1.一种高频模块,其特征在于,具备:
模块基板;
第一半导体部件,其内置有第一功率放大器和第二功率放大器;以及
第二半导体部件,其内置有第一开关,该第一开关具有与所述第一功率放大器连接的第一端子以及与所述第二功率放大器连接的第二端子,
其中,所述第一半导体部件和所述第二半导体部件以相互堆叠的方式配置于所述模块基板。
2.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,
在俯视所述模块基板时,所述第二半导体部件与所述第一半导体部件内的所述第一功率放大器及所述第二功率放大器这两方重叠。
3.根据权利要求2所述的高频模块,其特征在于,
所述第一功率放大器和所述第二功率放大器中的各功率放大器是多级放大器,
在俯视所述模块基板时,所述第二半导体部件与所述第一功率放大器的输入级及所述第二功率放大器的输入级这两方重叠。
4.根据权利要求3所述的高频模块,其特征在于,
在俯视所述模块基板时,所述第二半导体部件不与所述第一功率放大器的输出级及所述第二功率放大器的输出级中的任一方重叠。
5.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,
所述第一半导体部件配置在所述模块基板上,
所述第二半导体部件堆叠在所述第一半导体部件上。
6.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,
所述第一端子与所述第一功率放大器的输出连接,
所述第二端子与所述第二功率放大器的输出连接。
7.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,
所述第一端子与所述第一功率放大器的输入连接,
所述第二端子与所述第二功率放大器的输入连接。
8.根据权利要求7所述的高频模块,其特征在于,
所述第二半导体部件还内置有第二开关,该第二开关具有与所述第一功率放大器的输出连接的第三端子以及与所述第二功率放大器的输出连接的第四端子。
9.根据权利要求6所述的高频模块,其特征在于,
还具备第二开关,该第二开关具有与所述第一功率放大器的输入连接的第三端子以及与所述第二功率放大器的输入连接的第四端子,
所述第一半导体部件和所述第二开关配置于所述模块基板的彼此相反的面。
10.根据权利要求9所述的高频模块,其特征在于,
还具备多个外部连接端子,
所述模块基板具有彼此相向的第一主面和第二主面,
所述第一半导体部件和所述第二半导体部件配置于所述第一主面,
所述多个外部连接端子和所述第二开关配置于所述第二主面。
11.根据权利要求9所述的高频模块,其特征在于,
在俯视所述模块基板时,所述第二开关与所述第一半导体部件重叠。
12.根据权利要求11所述的高频模块,其特征在于,
所述第一功率放大器和所述第二功率放大器中的各功率放大器是多级放大器,
在俯视所述模块基板时,所述第二开关不与所述第一功率放大器的输出级及所述第二功率放大器的输出级重叠。
13.根据权利要求1至12中的任一项所述的高频模块,其特征在于,
还具备低噪声放大器,
所述第一半导体部件和所述低噪声放大器配置于所述模块基板的彼此相反的面。
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