[实用新型]晶圆片高温烘烤治具连接结构有效
| 申请号： | 202120388766.7 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN214123850U | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 刘方军 | 申请（专利权）人： | 京隆科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆片 高温 烘烤 连接 结构 | ||
1.一种晶圆片高温烘烤治具连接结构，其特征在于，高温烘烤治具包含至少一第一连接板、至少一第二连接板及复数固定单元，所述第一连接板包含至少一凹槽，所述第二连接板包含至少一凸部，所述凸部位置及形状对应于所述凹槽，所述第二连接板是由所述凸部嵌入所述第一连接板的所述凹槽内，所述复数固定单元锁固所述第一连接板及所述第二连接板，使得所述高温烘烤治具的结构保持固定状态。
2.根据权利要求1所述的晶圆片高温烘烤治具连接结构，其特征在于，所述凹槽在所述第一连接板的表面形成一开口，所述凹槽剖面中所述开口尺寸小于所述凹槽内的宽度。
3.根据权利要求2所述的晶圆片高温烘烤治具连接结构，其特征在于，所述凹槽采用渐进式或阶梯式的方式向所述凹槽内扩张。
4.根据权利要求1所述的晶圆片高温烘烤治具连接结构，其特征在于，所述凸部由所述第二连接板相对两表面的至少其中之一表面延伸形成。
5.根据权利要求4所述的晶圆片高温烘烤治具连接结构，其特征在于，其中所述凸部由所述第二连接板的相对两表面分别延伸相同的距离，且所述凸部与所述第二连接板形状成为对称的T型体或是对称的梯形结构。
6.根据权利要求4所述的晶圆片高温烘烤治具连接结构，其特征在于，其中所述凸部凸出于所述第二连接板相对两表面的其中之一，且所述凸部与所述第二连接板形状成为L型体或是不对称的梯形结构。
7.根据权利要求4所述的晶圆片高温烘烤治具连接结构，其特征在于，其中所述凸部分别在所述第二连接板的相对两表面各延伸出不同的距离，且所述凸部与所述第二连接板形状成为不对称的T型体或是不对称的梯形结构。
8.根据权利要求1所述的晶圆片高温烘烤治具连接结构，其特征在于，其中所述高温烘烤治具的作业温度介于20℃～300℃之间。
9.根据权利要求1所述的晶圆片高温烘烤治具连接结构，其特征在于，其中所述第二连接板包含复数层片，所述复数层片用于承载复数晶圆片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
