[发明专利]一种用于提升LED器件光提取效率的边际湿法处理方法

权利要求书

1.一种用于提升LED器件光提取效率的边际湿法处理方法，其特征在于，包括：

步骤S1：于一基板上形成多个所述LED器件；

步骤S2：于所述LED器件的部分表面形成牺牲层，对所述LED器件进行蚀刻，于所述LED器件的侧面形成斜面；

步骤S3：对所述LED器件采用第一清洗方法进行清洗，随后对所述LED器件进行干燥处理以完成处理过程。

2.根据权利要求1所述的边际湿法处理方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S21：于所述LED器件的中心一矩形区域内形成所述牺牲层；

步骤S22：对所述LED器件采用湿法蚀刻，以去除所述牺牲层以及所述LED器件于所述矩形区域以外的部分；

步骤S23：对所述LED器件采用第二清洗方法进行清洗，根据一预设的蚀刻面积参数生成新的所述矩形区域，返回所述步骤S21，直至所述斜面形成；

新的所述矩形区域的面积大于原有的所述矩形区域的面积。

3.根据权利要求2所述的边际湿法处理方法，其特征在于，所述基板的材质包括蓝宝石、氮化镓；

所述步骤S2中，所述湿法蚀刻的蚀刻液包括硫酸和磷酸。

4.根据权利要求2所述的边际湿法处理方法，其特征在于，所述步骤S23中，所述第二清洗方法包括：

步骤A1：对所述LED器件采用氨水进行清洗；

步骤A2：采用纯水冲洗所述LED器件；

步骤A3：将环境温度上升至一预定温度。

5.根据权利要求1所述的边际湿法处理方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述第一清洗方法包括：

步骤B1：采用纯水冲洗所述LED器件；

步骤B2：采用一酸液清洗所述LED器件；

步骤B3：再次采用所述纯水冲洗所述LED器件。

6.根据权利要求5所述的边际湿法处理方法，其特征在于，所述步骤B2中，所述酸液为浓度25％～30％的硝酸溶液，所述硝酸溶液的温度在50℃～100℃之间；

所述步骤B2的清洗时长在1分钟～5分钟。

7.根据权利要求5所述的边际湿法处理方法，其特征在于，所述步骤B2中，所述酸液为浓度40％～50％的磷酸溶液，所述磷酸溶液的温度在170℃～220℃之间；

所述步骤B2的清洗时长在1分钟～5分钟。

8.根据权利要求1所述的边际湿法处理方法，其特征在于，所述步骤B3中，所述干燥方法为：

步骤C1：于所述LED器件表面形成一异丙醇薄膜；

步骤C2：注入超临界态二氧化碳，以使得所述超临界态二氧化碳扩散至所述异丙醇薄膜下方；

步骤C3：对生产环境减压以去除异丙醇和二氧化碳。

9.根据权利要求1所述的边际湿法处理方法，其特征在于，所述LED器件为矩形，所述斜面形成于所述LED器件的对边或周向。