[发明专利]图形化复合衬底及包含该衬底的LED外延结构及芯片

权利要求书

1.一种图形化复合衬底，包括衬底本体（110），以及设置于该衬底本体（110）上的周期性的凸起结构（120），所述凸起结构（120）包括底部图案层（123）、顶部图案层（121）以及镶嵌在所述顶部图案层（121）内部的至少一层金属薄膜反射层（122）。

2.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述金属薄膜反射层（122）为平行于所述衬底本体（110）的平面层。

3.根据权利要求2所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述金属薄膜反射层（122）的直径d1小于所述顶部图案层（121）的底面直径d2；

优选地，所述金属薄膜反射层（122）的直径d1为所述顶部图案层（121）的底面直径d2的50%~95%；

和/或，所述金属薄膜反射层（122）的厚度h3为10 nm~500 nm；

和/或，所述金属薄膜反射层（122）距离所述底部图案层（123）的顶面的距离L为0~500nm。

4.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述金属薄膜反射层（122）为与所述顶部图案层（121）同轴设置的类圆锥形、类三棱锥形或类四棱锥形。

5. 根据权利要求4所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述金属薄膜反射层（122）的上表面与所述顶部图案层（121）的上表面之间的间距h4为50 nm~1000 nm。

6.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述金属薄膜反射层（122）为上下两层，上下两层的材料相同或不同；

优选地，下层所述金属薄膜反射层（122）的长度大于上层所述金属薄膜反射层（122）的长度；

优选地，所述金属薄膜反射层（122）为两层，上层为Ag层，下层为Al层。

7.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，

所述金属薄膜反射层（122）为Ag薄膜和/或Al薄膜；

优选地，所述顶部图案层（121）为SiO2或TiO2材质；

优选地，所述底部图案层（123）与所述衬底本体（110）为相同材质；

优选地，所述衬底本体（110）为蓝宝石材质；

优选地，所述凸起结构（120）为类圆锥形、类三棱锥形或类四棱锥形；

优选地，所述顶部图案层（121）为类圆锥形、类三棱锥形或类四棱锥形；

优选地，所述底部图案层（123）为圆台形或锥台型。

8. 根据权利要求1至7中任一项所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述周期性的凸起结构（120）的周期P为0.5 um~5 um；

和/或，所述凸起结构（120）的下底面直径D为0.45 um~4.9 um；

和/或，所述凸起结构（120）的总高度H为0.3 um~ 2.5 um；

和/或，所述顶部图案层（121）的高度h1为所述凸起结构（120）总高度H的50%~95%。

9.一种LED外延结构，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的图形化复合衬底（100）。

10.一种LED芯片，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的图形化复合衬底（100）。