[发明专利]一种显示装置及其制作方法在审
| 申请号: | 202111629457.5 | 申请日: | 2021-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN116364740A | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
| 发明(设计)人: | 樊勇 | 申请(专利权)人: | 厦门市芯颖显示科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/54 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李佳桁 |
| 地址: | 361006 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示装置 及其 制作方法 | ||
本申请公开了一种显示装置及其制作方法。显示装置包括驱动基板、发光组件层及色转换基板;发光组件层包括设于所述驱动基板上的多个发光芯片单元;各所述发光芯片单元具有顶出光面;色转换基板包括第二金属层、填充层以及多个聚光透镜,所述第二金属层在对应所述发光芯片单元的顶出光面位置设有第一通孔,所述填充层设于所述第一通孔中;所述聚光透镜分别设于所述第一通孔内并设于所述填充层背离所述发光组件层的一侧。本申请在色转换基板中采用第二金属层替换现有的黑色挡墙,能够反射光线而不是吸收光线,增加了出光率。在第二金属层的第一通孔内形成填充层和聚光透镜,可阻隔水汽横向传输至填充层,并避免了像素之间的串色。
技术领域
本申请涉及MicroLED(微发光二极管)显示技术领域,具体涉及一种显示装置及其制作方法。
背景技术
目前MicroLED芯片由于采用无机发光二极管技术,可实现ns级别的响应速度和超高亮度。由于三色全彩MicroLED微显示中,MicroLED的像素间距很小,要防止像素之间的串色,就要在MicroLED上方的色转换基板中采用黑色挡墙进行遮光,黑色挡墙之间设置色转换层转换为三色光,一方面黑色挡墙的吸收率导致光效降低,此外由于黑色挡墙为有机材质,水汽容易从黑色挡墙进入色转换层,从而导致色转换层的可靠性降低,而且也会扩散至MicroLED区域,导致缩短使用寿命。此外由于微显示要求亮度较高,光源的出光角小,需要通过透镜实现视角收窄,但由于透镜的设置位置远离色转换层一段距离而造成三色光在此段距离内多角度散射导致在像素之间出现串色。因此如何防止像素之间的串色、提升MicroLED出光率以及增加阻隔水汽效果成为亟需解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示装置及其制作方法,用于解决在MicroLED上方的色转换基板中采用黑色挡墙进行遮光防止像素之间的串色时导致光效降低,以及水汽容易从黑色挡墙进入色转换层,从而导致色转换层的可靠性降低,而且也会扩散至MicroLED区域,导致缩短使用寿命的技术问题。
本申请实施例提供一种显示装置,包括驱动基板、发光组件层及色转换基板;其中,发光组件层包括设于所述驱动基板上的多个发光芯片单元;各所述发光芯片单元具有顶出光面;色转换基板包括第二金属层、填充层以及多个聚光透镜,所述第二金属层在对应所述发光芯片单元的顶出光面位置设有第一通孔,所述填充层设于所述第一通孔中;所述聚光透镜分别设于所述第一通孔内并设于所述填充层背离所述发光组件层的一侧。
进一步的,所述发光芯片单元包括三个蓝光MicroLED芯片,所述填充层包括红光色转换层和绿光色转换层;在一个所述发光芯片单元对应的三个所述通孔的其中两个所述通孔内分别设有一个所述红光色转换层和一个所述绿光色转换层。
进一步的,所述填充层还包括透明层;在一个所述发光芯片单元对应的三个所述第一通孔中分别设有一个所述红光色转换层、一个所述绿光色转换层和一个所述透明层。
进一步的,在一个发光芯片单元中,设于三个所述第一通孔中的所述红光色转换层、所述绿光色转换层和所述透明层的厚度相同。
进一步的,所述色转换基板还包括蓝光反光层,对应所述红光色转换层和所述绿光色转换层设置。
进一步的,所述蓝光反光层设于所述第二金属层上;所述蓝光反光层在对应所述透明层的位置设置透光孔。
进一步的,所述蓝光反光层由金属膜/透明介质膜/金属膜三层膜构成,或者所述蓝光反光层由金属膜/透明介质膜/金属膜/透明介质膜/金属膜五层膜构成。
进一步的,所述色转换基板还包括遮光层,设于所述蓝光反光层背离所述驱动基板的一侧;所述遮光层设有第二通孔,所述第二通孔与所述第一通孔一一对应设置。
进一步的,所述色转换基板还包括遮光层,设于所述第二金属层上;所述遮光层设有第二通孔,所述第二通孔与所述第一通孔一一对应设置,所述蓝光反光层设于对应所述红光色转换层和所述绿光色转换层的所述第二通孔内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





