[发明专利]半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法

权利要求书

1.一种操作半导体存储器设备的方法，包括用于编程多个存储器单元中的所选择的存储器单元的多个编程循环，其中所述多个编程循环中的每个编程循环包括：

设置与所述所选择的存储器单元连接的位线的状态；

将编程电压施加到与所述所选择的存储器单元连接的字线；以及

使用第一预验证电压、大于所述第一预验证电压的第二预验证电压和大于所述第二预验证电压的主验证电压对所述所选择的存储器单元执行验证操作，以及

通过执行所述验证操作来确定第一编程允许单元、第二编程允许单元、第三编程允许单元和编程禁止单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其中对所述所选择的存储器单元执行所述验证操作包括：

将所述第一预验证电压施加到与所述所选择的存储器单元连接的所述字线；

将所述第二预验证电压施加到与所述所选择的存储器单元连接的所述字线；以及

将所述主验证电压施加到与所述所选择的存储器单元连接的所述字线。

3.根据权利要求2所述的方法，其中对所述所选择的存储器单元执行所述验证操作还包括：将具有高于所述主验证电压的阈值电压的存储器单元确定为所述编程禁止单元。

4.根据权利要求3所述的方法，其中对所述所选择的存储器单元执行所述验证操作还包括：

将具有低于所述第一预验证电压的阈值电压的存储器单元确定为所述第一编程允许单元；

将具有高于所述第一预验证电压并且低于所述第二预验证电压的阈值电压的存储器单元确定为所述第二编程允许单元；以及

将具有高于所述第二预验证电压并且低于所述主验证电压的阈值电压的存储器单元确定为所述第三编程允许单元。

5.根据权利要求4所述的方法，其中设置与所述所选择的存储器单元连接的所述位线的所述状态包括：

将第一编程允许电压施加到与所述第一编程允许单元连接的位线；

将大于所述第一编程允许电压的第二编程允许电压施加到与所述第二编程允许单元连接的位线；以及

将大于所述第二编程允许电压的第三编程允许电压施加到与所述第三编程允许单元连接的位线。

6.根据权利要求5所述的方法，其中设置与所述所选择的存储器单元连接的所述位线的所述状态还包括：将大于所述第三编程允许电压的编程禁止电压施加到与所述编程禁止单元连接的位线。

7.一种操作半导体存储器设备的方法，包括用于编程多个存储器单元中的所选择的存储器单元的多个编程循环，所述多个存储器单元中的每个存储器单元存储N个位，其中所述多个编程循环中的每个编程循环包括：

设置与所述所选择的存储器单元连接的位线的状态；

将编程电压施加到与所述所选择的存储器单元连接的字线；以及

使用对应于第一编程状态到第(2^N-1)编程状态中的第i编程状态的第一预验证电压、第二预验证电压和主验证电压来执行对应于所述第i编程状态的验证操作，

其中，N为大于1的自然数，并且i为大于0且小于2^N的自然数。

8.根据权利要求7所述的方法，其中执行对应于所述第i编程状态的所述验证操作包括：

将对应于所述第一编程状态的第一预验证电压施加到与所述所选择的存储器单元连接的所述字线；

将对应于所述第一编程状态的第二预验证电压施加到与所述所选择的存储器单元连接的所述字线；以及

将对应于所述第一编程状态的主验证电压施加到与所述所选择的存储器单元连接的所述字线。

9.根据权利要求8所述的方法，其中对应于所述第一编程状态的所述第二预验证电压大于对应于所述第一编程状态的所述第一预验证电压，并且对应于所述第一编程状态的所述主验证电压大于对应于所述第一编程状态的所述第二预验证电压。