[发明专利]一种用于提高MOCVD沉积中带材运动稳定性的弧形板在审
申请号: | 202111595437.0 | 申请日: | 2021-12-24 |
公开(公告)号: | CN114262879A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 章鹏;冯仁;岳鹏;张爱兵;迮建军;古宏伟;蔡渊 | 申请(专利权)人: | 苏州新材料研究所有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/54;C23C16/40 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴;徐律 |
地址: | 215124 江苏省苏州市苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 提高 mocvd 沉积 中带材 运动 稳定性 弧形 | ||
本发明公开一种用于提高MOCVD沉积中带材运动稳定性的弧形板,包括弧形板本体,其实施为一面为平面,另一面为弧面;所述弧形板本体的宽度方向的其中一个侧面上加工有若干间隔的、且朝向另一个侧面延伸的孔,所述孔用于插入控温热电偶;所述弧形板本体的弧面的两端分别铣有多个用于限制带材横向漂移的限位部。通过在弧形板上引入限位机构也即限位槽,可以保证带材在限位槽内顺利运动,也可起到限制带材横向漂移的作用。
技术领域
本发明涉及多超导材料技术领域,具体地涉及一种用于提高MOCVD沉积中带材运动稳定性的弧形板。
背景技术
在MOCVD工艺制备高温超导带材时,基底带材需要被加热至工艺温度后才可进行工艺沉积。一般用于MOCVD制备REBCO薄膜的加热方式有如下三种:1)热壁式加热;2)接触式传导加热;3)基带直接通电加热。三者中,接触式传导加热更加适合于长带材的稳定制备,相比热壁式加热方式,其基带上方沉积空间温度相对较低,更容易控制MOCVD过程中的气相反应。
在热接触式传导加热过程中,基底带材是通过一块哈氏合金弧形板实现带材加热,并在沉积区进行超导膜的沉积。
为了提高带材的均匀性,以及提高生产效率,一般用于生产超导带材的设备,会采用螺旋缠绕的方式进行走带,即同一根带材会几次紧贴在弧形板上经过沉积区域。
然而,带材与带材中间存在一个非沉积区间,该区域为暴露在喷淋器下方的弧形板的一部分,随着生产的持续进行,会有越来越厚的化学源在该区域内形成沉积,最终导致会有长条状凸起存在。
另一方面,由于螺旋卷绕机制的引入,使得带材的运动变得复杂,机械运动系统的任何不稳定,会导致带材运动的不稳定。这种不稳定同时表现为走带方向的速度抖动,以及带材的横向漂移运动。其中,横向漂移运动对最终的沉积效果有极其重大的影响。如上文所述,沉积区内带材间因为形成了凸起的沉积物,如果带材在垂直运动方向上产生横向漂移,会使得带材骑在凸起的沉积物上,直接影响了带材与弧形板的接触,从而使带材加热效果不佳,影响带材在宽度方向上的沉积效果。最终,不论带材的整体性能,还是分切后的产品良率,均出现重大损失。
因此,限制带材在沉积时横向漂移可以有效提高产品性能和提高产品良率。本发明旨在设计一种弧形板,可以有效限制带材的横向漂移。
发明内容
针对上述存在的技术问题,本发明目的是提供一种用于提高MOCVD沉积中带材运动稳定性的弧形板,通过在弧形板上引入限位机构也即限位槽,可以有效限制带材的横向漂移,从而有效提高产品性能和提高产品良率。
本发明的技术方案是:
本发明的目的在于提供一种用于提高MOCVD沉积中带材运动稳定性的弧形板,包括弧形板本体,其实施为一面为平面,另一面为弧面;
所述弧形板本体的宽度方向的其中一个侧面上加工有若干间隔的、且朝向另一个侧面延伸的孔,所述孔用于插入控温热电偶;
所述弧形板本体的弧面的两端分别铣有多个用于限制带材横向漂移的限位部。
优选地,所述限位部为由弧面向平面方向凹陷的限位槽。
优选地,所述弧形板的弧面的两端均倒角处理。
优选地,所述孔采用放电技术加工而成。
优选地,按照基带宽度为12mm的情况下,所述限位槽的宽度为12.5mm。
与现有技术相比,本发明的优点是:
本发明的用于提高MOCVD沉积中带材运动稳定性的弧形板,通过在弧形板上引入限位机构也即限位槽,可以保证带材在限位槽内顺利运动,也可起到限制带材横向漂移的作用。
附图说明
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州新材料研究所有限公司,未经苏州新材料研究所有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111595437.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的