[发明专利]异质结太阳能电池的制备方法及镀膜设备

说明书

本发明提供一种异质结太阳能电池的制备方法及镀膜设备，所述异质结太阳能电池的制备方法包括如下步骤：在硅基的一侧沉积本征非晶硅层；其特征在于，所述异质结太阳能电池的制备方法还包括退火，所述退火在沉积部分所述本征非晶硅层后和/或沉积所述本征非晶硅后。本发明通过对部分本征层或全部本征层进行退火，提高了本征层的钝化效果。

技术领域

本发明涉及光伏领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池的制备方法及镀膜设备。

背景技术

异质结电池(HJT电池)，是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型异质结太阳能电池，通常为双面电池。在高产能通道式PECVD设备需要提升产能，一种方式是缩短硅片在每个腔体内停留时间，并结合更高的沉积速率制备预期的膜层。但是缩短停留时间导致各个工艺的时间缩短，可能对某些膜层的功能有所弱化；而提高镀膜功率，可能会对部分膜层造成损伤；高产能下制备的电池效率低于低产能状态。

有鉴于此，有必要提供一种改进的异质结太阳能电池的制备方法及镀膜设备，以解决上述技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种异质结太阳能电池的制备方法。

为解决上述技术问题之一，本发明采用如下技术方案：

一种异质结太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在硅基的一侧沉积本征非晶硅层；在沉积部分所述本征非晶硅层后退火，和/或在沉积所述本征非晶硅后退火。

进一步地，所述退火过程为：温度160℃～220℃，时间20s～60s。

进一步地，沉积本征非晶硅层包括：使用纯硅烷(SiH₄)沉积本征过渡层；使用SiH₄:H₂沉积本征钝化层；

在沉积所述本征过渡层和/或所述本征钝化层后退火。

进一步地，沉积所述本征过渡层时，镀膜功率35mW/cm²～50mW/cm²；

沉积所述本征钝化层时，SiH₄:H₂＝1:1～1:10，压力65Pa～90Pa，镀膜功率10mW/cm²～50mW/cm²。

进一步地，还包括采用相同的工艺在硅基的另一侧沉积本征非晶硅层。

一种镀膜设备，包括本征层镀膜腔，所述本征层镀膜腔包括本征过渡层镀膜腔、位于所述本征过渡层镀膜腔后的本征钝化层镀膜腔；所述镀膜设备还包括退火腔，所述退火腔位于所述本征过渡层镀膜腔和/或所述本征钝化层镀膜腔后。

进一步地，所述退火腔内设有加热装置或保温装置，维持硅基温度在160℃～220℃。

进一步地，所述镀膜设备还包括调节所述退火腔真空度的抽真空系统。

进一步地，所述镀膜设备还包括用以向所述退火腔注入惰性气体的注气系统。

进一步地，所述镀膜设备包括先后设置的：正面本征晶硅层镀膜腔→退火腔→N型掺杂层镀膜腔→背面本征晶硅层镀膜腔→P型掺杂层镀膜腔；

或，所述镀膜设备包括先后设置的：部分正面本征晶硅层镀膜腔→退火腔→剩余正面本征晶硅层镀膜腔→N型掺杂层镀膜腔→背面本征晶硅层镀膜腔→P型掺杂层镀膜腔；

或，所述镀膜设备包括先后设置的：正面本征晶硅层镀膜腔→退火腔→N型掺杂层镀膜腔→背面本征晶硅层镀膜腔→退火腔→P型掺杂层镀膜腔；

或，所述镀膜设备包括先后设置的：正面本征晶硅层镀膜腔→退火腔→背面本征晶硅层镀膜腔→N型掺杂层镀膜腔→P型掺杂层镀膜腔；