[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板在审
申请号: | 202111577086.0 | 申请日: | 2021-12-22 |
公开(公告)号: | CN114335010A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 白丹;赵瑜 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 孟霞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板,包括显示区和弯折区,显示区包括衬底、屏蔽层、阻隔层、有源层和第一源漏极金属层,第一源漏极金属层通过第一子接触孔与有源层电连接,第一源漏极金属层通过第一子接触孔和第二子接触孔与屏蔽层电连接;本发明以有源层和屏蔽层作为蚀刻阻挡层,接触孔与位于弯折区的第一开口和第二开口采用同一道黄光制程制备而成,相较于现有技术中的第一开口和第二开口分别通过一道黄光制程制备,省去了一道制备第二开口的黄光制程,有利于降低成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
OLED(有机发光二极管,Organic Light-Emitting Diode)技术具有广视角、高对比度、快响应、低功耗和可折叠/柔性等诸多优势,通常在有源层沟道下方增加一层图案化的屏蔽层以屏蔽衬底中的电荷(PI Charge),但此种做法会增加一道制程来制备屏蔽层,导致成本增加。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,以解决现有的阵列基板的制备方法因在有源层沟道下方增加一层图案化的屏蔽层,导致制程增加的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种阵列基板,包括显示区和围绕所述显示区的非显示区,所述非显示区包括弯折区;所述显示区包括:
衬底;
屏蔽层,设置于所述衬底的一侧;
阻隔层,覆于所述屏蔽层远离所述衬底的一侧;
有源层,设置于所述阻隔层远离所述衬底的一侧;以及
第一源漏极金属层,设置于所述有源层远离所述衬底的一侧,所述第一源漏极金属层通过接触孔与所述有源层及所述屏蔽层电连接,所述接触孔包括相连通的第一子接触孔和第二子接触孔,所述第一源漏极金属层通过所述第一子接触孔与所述有源层电连接,所述第一源漏极金属层通过所述第一子接触孔和第二子接触孔与所述屏蔽层电连接;
其中,所述弯折区设置有相连通的第一开口和第二开口,所述第二开口位于所述第一开口靠近所述衬底的一侧,在垂直于所述显示面板的方向上,所述第一开口的深度与所述第一子接触孔的深度相同。
根据本发明提供的阵列基板,所述显示区还包括:
第一栅极绝缘层,覆于所述有源层远离所述衬底的一侧;
第一栅极层,设置于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底的一侧;
第二栅极绝缘层,覆于所述第一栅极层远离所述衬底的一侧;
第二栅极层,设置于所述第二栅极绝缘层远离所述衬底的一侧;以及
层间介电层,覆于所述第二栅极层远离所述衬底的一侧;
其中,所述第一子接触孔和所述第一开口贯穿所述层间介电层、所述第二栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层,所述第二子接触孔贯穿所述有源层、所述阻隔层和至少部分所述屏蔽层,所述第二开口贯穿所述阻隔层和部分所述衬底。
根据本发明提供的阵列基板,所述衬底包括层叠设置的第一柔性层、第一缓冲层、第二柔性层和第二缓冲层,所述第二开口贯穿所述阻隔层、所述第二缓冲层和部分所述第二柔性层。
根据本发明提供的阵列基板,所述阵列基板还包括第一平坦层,所述第一平坦层覆于所述第一源漏极金属层远离所述衬底的一侧,所述第一平坦层从所述显示区延伸至所述弯折区中,所述第一平坦层填充所述第一开口和所述第二开口。
根据本发明提供的阵列基板,所述屏蔽层的材料包括非晶硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的