[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区包括弯折区；所述显示区包括：

衬底；

屏蔽层，设置于所述衬底的一侧；

阻隔层，覆于所述屏蔽层远离所述衬底的一侧；

有源层，设置于所述阻隔层远离所述衬底的一侧；以及

第一源漏极金属层，设置于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述第一源漏极金属层通过接触孔与所述有源层及所述屏蔽层电连接，所述接触孔包括相连通的第一子接触孔和第二子接触孔，所述第一源漏极金属层通过所述第一子接触孔与所述有源层电连接，所述第一源漏极金属层通过所述第一子接触孔和第二子接触孔与所述屏蔽层电连接；

其中，所述弯折区设置有相连通的第一开口和第二开口，所述第二开口位于所述第一开口靠近所述衬底的一侧，在垂直于所述显示面板的方向上，所述第一开口的深度与所述第一子接触孔的深度相同。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区还包括：

第一栅极绝缘层，覆于所述有源层远离所述衬底的一侧；

第一栅极层，设置于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底的一侧；

第二栅极绝缘层，覆于所述第一栅极层远离所述衬底的一侧；

第二栅极层，设置于所述第二栅极绝缘层远离所述衬底的一侧；以及

层间介电层，覆于所述第二栅极层远离所述衬底的一侧；

其中，所述第一子接触孔和所述第一开口贯穿所述层间介电层、所述第二栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层，所述第二子接触孔贯穿所述有源层、所述阻隔层和至少部分所述屏蔽层，所述第二开口贯穿所述阻隔层和部分所述衬底。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底包括层叠设置的第一柔性层、第一缓冲层、第二柔性层和第二缓冲层，所述第二开口贯穿所述阻隔层、所述第二缓冲层和部分所述第二柔性层。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一平坦层，所述第一平坦层覆于所述第一源漏极金属层远离所述衬底的一侧，所述第一平坦层从所述显示区延伸至所述弯折区中，所述第一平坦层填充所述第一开口和所述第二开口。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽层的材料包括非晶硅。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽层的厚度范围为50纳米～300纳米。

7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区包括弯折区；所述制备方法包括以下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底的一侧形成屏蔽层，所述屏蔽层位于所述显示区；

形成覆于所述屏蔽层远离所述衬底的一侧的阻隔层；

在所述阻隔层远离所述衬底的一侧形成有源层，所述有源层位于所述显示区；在所述有源层上形成第一子接触孔的同时在所述弯折区形成第一开口，所述第一开口的深度与所述第一子接触孔的深度相同；

在所述屏蔽层上形成第二子接触孔的同时在所述弯折区内形成第二开口，所述第二开口位于所述第一开口靠近所述衬底的一侧；以及

在所述有源层远离所述衬底的一侧形成第一源漏极金属层，所述第一源漏极金属层通过第一子接触孔与所述有源层电连接，所述第一源漏极金属层通过相连通的所述第一子接触孔和第二子接触孔与所述屏蔽层电连接。