[发明专利]Micro LED芯片组件、显示面板及制造方法

说明书

本申请提供一种Micro LED芯片组件、显示面板及制造方法，显示面板的制造方法包括提供外延衬底、在外延衬底上设置多个间隔设置的Micro LED芯片、在Micro LED芯片上设置锡柱、去除外延衬底、采用转移头夹持锡柱并将Micro LED芯片转移至背板、采用回流焊工艺将Micro LED芯片和背板上的焊盘焊接，同时融化锡柱。采用转移头夹持，精度较高，同时不会直接夹持到芯片，防止损伤芯片；通过回流焊工艺将LED芯片和焊盘连接，同时锡柱在回流焊过程中融化在Micro LED芯片表面，不影响后续封胶制程的情况下提高了Micro LED芯片的导电能力，同时该显示面板的制作方法工艺简单，节约了制作成本。

技术领域

本申请涉及半导体器件制作技术领域，尤其涉及一种Micro LED芯片组件、显示面板及制造方法。

背景技术

随着LED技术不断发展，Micro LED显示已成未来显示行业的一大趋势，Micro LED搭配巨量转移技术可以结合不同的显示面板，创造出透明、弯曲以及柔性等显示效果，因此其可以成为和OLED技术相媲美的主流显示技术。

目前主流的巨量转移技术包括以下几类：

(1)采用具有单、双极结构的转移头的静电力转移方式，在转移过程中分别施加正负电压，利用静电力从衬底上抓取Micro LED；

(2)采用粘附力的转移方式，使用弹性印模并结合高精度运动控制打印头，利用范德华力让Micro LED黏附在转移头上；

(3)采用电磁力的转移方式，在Micro LED上混入诸如铁钴镍等磁性材料，利用电磁力进行吸附和释放。

但上述巨量转移工艺均比较复杂，且存在转移精度比较低的问题，还增加了MicroLED的制作成本。

发明内容

本申请实施例提供一种Micro LED芯片组件、显示面板及制造方法，以解决现有的巨量转移工艺比较复杂且精度较低的问题。

第一方面，本申请实施例提供一种显示面板的制作方法，包括：

提供外延衬底；

在所述外延衬底上设置多个间隔设置的Micro LED芯片；

在所述Micro LED芯片上设置锡柱；

去除外延衬底；

采用转移头夹持锡柱并将Micro LED芯片转移至背板；

采用回流焊工艺将Micro LED芯片和背板上的焊盘焊接，同时融化锡柱。

可选的，所述在所述Micro LED芯片上设置锡柱包括：

采用电镀光阻工艺在所述Micro LED芯片上形成锡柱，以控制锡柱的高度和宽度。

可选的，所述在所述外延衬底上设置多个间隔设置的Micro LED芯片包括：

在所述外延衬底上依次设置的第一电极、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、第二电极，以形成Micro LED芯片。

可选的，所述采用转移头夹持锡柱并将Micro LED芯片转移至背板包括：

夹持时采用逐一夹取，转移时采用逐一放置。

可选的，所述融化锡柱之后，所述方法还包括：

将融化后的锡柱形成为覆盖于所述Micro LED芯片的锡膜。

可选的，所述外延衬底包括衬底基板和热解胶薄膜层，所述去除外延衬底包括：

加热所述热解胶薄膜层使其融化，以使所述Micro LED芯片与所述衬底基板分离。