[发明专利]Micro LED芯片组件、显示面板及制造方法在审
申请号: | 202111566794.4 | 申请日: | 2021-12-20 |
公开(公告)号: | CN114300500A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 赵永超 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王芳芳 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | micro led 芯片 组件 显示 面板 制造 方法 | ||
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供外延衬底;
在所述外延衬底上设置多个间隔设置的Micro LED芯片;
在所述Micro LED芯片上设置锡柱;
去除外延衬底;
采用转移头夹持锡柱并将Micro LED芯片转移至背板;
采用回流焊工艺将Micro LED芯片和背板上的焊盘焊接,同时融化锡柱。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述Micro LED芯片上设置锡柱包括:
采用电镀光阻工艺在所述Micro LED芯片上形成锡柱,以控制锡柱的高度和宽度。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述外延衬底上设置多个间隔设置的Micro LED芯片包括:
在所述外延衬底上依次设置的第一电极、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和第二电极,以形成Micro LED芯片。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述采用转移头夹持锡柱并将Micro LED芯片转移至背板包括:
采用转移头逐一夹取锡柱,并逐一转移和放置每一个所述Micro LED芯片至背板。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述融化锡柱之后,所述方法还包括:
将融化后的锡柱形成为覆盖于所述Micro LED芯片的锡膜。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述外延衬底包括衬底基板和热解胶薄膜层,所述去除外延衬底包括:
加热所述热解胶薄膜层使其融化,以使所述Micro LED芯片与所述衬底基板分离。
7.一种Micro LED芯片组件,其特征在于,包括:
外延衬底,
多个Micro LED芯片,所述多个Micro LED芯片间隔设置在外延衬底上;
锡柱,所述锡柱设置在所述Micro LED芯片远离衬底基板的一侧,所述锡柱用于被夹持以将Micro LED芯片转移。
8.根据权利要求7所述的Micro LED芯片组件,其特征在于,所述外延衬底包括:
衬底基板,
热解胶薄膜层,设置于所述衬底基板朝向所述Micro LED芯片一侧,所述热解胶薄膜层用于加热后融化,以使所述Micro LED芯片与所述衬底基板分离。
9.根据权利要求7所述的Micro LED芯片组件,其特征在于,所述Micro LED芯片包括沿背离所述外延衬底方向依次设置的第一电极、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、第二电极。
10.一种显示面板,其特征在于,包括:
背板;
多个焊盘,多个所述焊盘间隔设置;
多个Micro LED芯片,所述多个Micro LED芯片对应设置在所述焊盘上;
导电层,所述导电层设置在所述Micro LED芯片远离所述背板的一侧,所述导电层由锡柱融化形成,所述锡柱用于被夹持以将Micro LED芯片转移至所述背板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的