[发明专利]Micro LED芯片组件、显示面板及制造方法在审

专利信息
申请号: 202111566794.4 申请日: 2021-12-20
公开(公告)号: CN114300500A 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 赵永超 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 王芳芳
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: micro led 芯片 组件 显示 面板 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:

提供外延衬底;

在所述外延衬底上设置多个间隔设置的Micro LED芯片;

在所述Micro LED芯片上设置锡柱;

去除外延衬底;

采用转移头夹持锡柱并将Micro LED芯片转移至背板;

采用回流焊工艺将Micro LED芯片和背板上的焊盘焊接,同时融化锡柱。

2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述Micro LED芯片上设置锡柱包括:

采用电镀光阻工艺在所述Micro LED芯片上形成锡柱,以控制锡柱的高度和宽度。

3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述外延衬底上设置多个间隔设置的Micro LED芯片包括:

在所述外延衬底上依次设置的第一电极、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和第二电极,以形成Micro LED芯片。

4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述采用转移头夹持锡柱并将Micro LED芯片转移至背板包括:

采用转移头逐一夹取锡柱,并逐一转移和放置每一个所述Micro LED芯片至背板。

5.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述融化锡柱之后,所述方法还包括:

将融化后的锡柱形成为覆盖于所述Micro LED芯片的锡膜。

6.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述外延衬底包括衬底基板和热解胶薄膜层,所述去除外延衬底包括:

加热所述热解胶薄膜层使其融化,以使所述Micro LED芯片与所述衬底基板分离。

7.一种Micro LED芯片组件,其特征在于,包括:

外延衬底,

多个Micro LED芯片,所述多个Micro LED芯片间隔设置在外延衬底上;

锡柱,所述锡柱设置在所述Micro LED芯片远离衬底基板的一侧,所述锡柱用于被夹持以将Micro LED芯片转移。

8.根据权利要求7所述的Micro LED芯片组件,其特征在于,所述外延衬底包括:

衬底基板,

热解胶薄膜层,设置于所述衬底基板朝向所述Micro LED芯片一侧,所述热解胶薄膜层用于加热后融化,以使所述Micro LED芯片与所述衬底基板分离。

9.根据权利要求7所述的Micro LED芯片组件,其特征在于,所述Micro LED芯片包括沿背离所述外延衬底方向依次设置的第一电极、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、第二电极。

10.一种显示面板,其特征在于,包括:

背板;

多个焊盘,多个所述焊盘间隔设置;

多个Micro LED芯片,所述多个Micro LED芯片对应设置在所述焊盘上;

导电层,所述导电层设置在所述Micro LED芯片远离所述背板的一侧,所述导电层由锡柱融化形成,所述锡柱用于被夹持以将Micro LED芯片转移至所述背板。

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