[发明专利]显示面板及其制备方法、移动终端

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底和位于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括：

低温多晶硅晶体管；

金属氧化物晶体管，所述金属氧化物晶体管和所述低温多晶硅晶体管分离设置，所述金属氧化物晶体管包括第一有源层和位于所述第一有源层上的阻挡层，所述第一有源层包括第一沟道部和位于所述第一沟道部两侧的第一导体部，所述阻挡层与至少部分所述第一导体部搭接；

其中，所述阻挡层的材料包括金属氧化物。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属氧化物晶体管还包括：

第一栅极绝缘层，设置于所述衬底上；

遮光层，设置于所述第一栅极绝缘层上；

第二栅极绝缘层，设置于所述第一栅极绝缘层上且完全覆盖所述遮光层；

所述第一有源层，设置于所述第二栅极绝缘层上；

第三栅极绝缘层，设置于所述第一沟道部上；

所述阻挡层，设置于所述第二栅极绝缘层上且与所述第三栅极绝缘层相接触；

第一栅极，设置于所述第三栅极绝缘层上；

层间绝缘层，设置于所述阻挡层以及所述第三栅极绝缘层上，且所述层间绝缘层完全覆盖所述第一栅极；

第一源漏极，设置于所述层间绝缘层上；以及

钝化层，设置于所述层间绝缘层上且完全覆盖所述第一源漏极。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述低温多晶硅晶体管包括：

第二有源层，设置于所述衬底上；

第二栅极，与所述遮光层同层设置；

第四栅极绝缘层，与所述第一有源层同层设置；

第三栅极，设置于所述第四栅极绝缘层上且与所述第二栅极对应设置；以及

第二源漏极，与所述第一源漏极同层设置。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述低温多晶硅晶体管还包括所述阻挡层，所述阻挡层与所述第四栅极绝缘层相接触；

其中，所述阻挡层与所述第三栅极之间形成开口结构。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述衬底包括第一无机阻隔层、设置于所述第一无机阻隔层上的钼金属层以及设置于所述第一无机阻隔层上并完全覆盖所述钼金属层的第二无机阻隔层；

其中，所述第一源漏极通过第一过孔与所述钼金属层电连接，所述第二源漏极通过第二过孔与所述钼金属层电连接。

6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层、所述第一栅极、所述第二栅极、所述第三栅极、所述第一源漏极以及所述第二源漏极的材料包括Mo、Al、Cu以及Ti中的至少一种；所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第三栅极绝缘层、所述第四栅极绝缘层、所述层间绝缘层以及所述钝化层的材料包括氮氧化物以及氮硅化物中的至少一种。

7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在一衬底上形成第二有源层；

在所述衬底上依次形成第一栅极绝缘层以及第一金属层，所述第一金属层经图案化后形成第二栅极以及与所述第二栅极绝缘设置的遮光层；

在所述第一栅极绝缘层上依次形成第二栅极绝缘层、第一有源层、第三栅极绝缘层以及第四栅极绝缘层，所述第一有源层与所述遮光层相对设置，所述第三绝缘层设置于所述第一有源层上；

在所述第三栅极绝缘层上形成第一栅极，同时在所述第四栅极绝缘层上形成第三栅极；

在所述第二栅极绝缘层上形成阻挡层，所述阻挡层与所述第一有源层的至少部分第一导体部搭接；

在所述阻挡层上依次形成层间绝缘层、第一源漏极以及第二源漏极，所述第一源漏极与所述第二源漏极同层设置；

在所述层间绝缘层上形成钝化层，所述钝化层完全覆盖所述第一源漏极以及所述第二源漏极。