[发明专利]闪存存储器版图、闪存存储器及其制造方法

说明书

本发明提供一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制造方法，在所述的闪存存储器版图中，连接图形呈直条形，如此一来，在闪存存储器中，连接部的截面可呈直条形，相比现有技术的连接部，结构较为简单，能够简化工艺，在形成连接部的过程中可以避免出现光刻胶浮胶的问题。进一步的，在所述闪存存储器版图中，两个字线图形之间具有一间隔区域，且所述连接图形对准所述间隔区域，如此一来，在闪存存储器中，每个所述字线组中的两个字线之间具有一间隔开口，且所述间隔开口对准连接部，由此增大了连接部与字线之间的间距，从而增大了工艺窗口，避免出现短路。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制造方法。

背景技术

闪存(flash)作为一种安全、快速的存储体，以其体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点，成为了嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。近年来，随着智能电子产品市场的飞速发展，各类MCU(micro controller unit，微控制器)及SoC(System-on-Chip，片上系统)的使用已经深入到汽车电子、工业控制和医疗产品等日常生活的各个方面。如图1所示，在现有的闪存存储器中，连接部10用于连接相邻两个存储单元阵列(bitcell array)的控制栅，并为器件提供接触区(pickup)的区域。然而，连接部10的形状呈Z字形，在制作连接部10时，由于连接部10的结构复杂且连接部的设计规则越来越小，连接部10的工艺窗口较小，在形成连接部10的过程中，容易出现光刻胶浮胶的问题，并且由于连接部10与字线(位于相邻的两个连接部之间)之间的间距较小，连接部10上的接触结构较容易与字线之间发生短路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制造方法，以解决闪存存储器在制造过程中的光刻胶浮胶及工艺窗口小的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种闪存存储器版图，所述闪存存储器版图包括：

控制栅版图，包括多个平行排列的控制栅图形组，每个所述控制栅图形组包括两个间隔设置的控制栅图形，每个所述控制栅图形包括一个呈直条形的连接图形和两个呈直条形的栅极图形，所述连接图形位于所述两个栅极图形之间；

字线版图，包括多个平行排列的字线图形组，每个所述字线图形组包括两个呈直条形的字线图形，所述两个字线图形之间具有一间隔区域；

其中，在每个所述控制栅图形组中，所述两个控制栅图形之间设置有一个所述字线图形组，在每个所述控制栅图形中，所述连接图形对准所述间隔区域。

可选的，在所述的闪存存储器版图中，所述多个控制栅图形组沿着第一方向平行排布并沿着第二方向延伸，在每个所述控制栅图形组中，两个所述控制栅图形沿着所述第一方向间隔设置，相邻的两个所述控制栅图形之间的间距为35nm～60nm，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。

可选的，在所述的闪存存储器版图中，所述多个字线图形组沿着所述第一方向平行排布并沿着所述第二方向延伸，在所述第二方向上，所述两个字线图形之间具有所述间隔区域。

可选的，在所述的闪存存储器版图中，所述闪存存储器版图还包括接触孔版图，所述接触孔版图包括多个接触孔图形组，每个所述接触孔图形组包括在位置上相错设置的两个接触孔图形，其中，一个所述控制栅图形组与一个所述接触孔图形组相对应，在每个所述控制栅图形组中，两个所述控制栅图形上各设置有一个所述接触孔图形，所述接触孔图形在所述控制栅版图上的投影位于所述连接图形内。

基于同一发明构思，本发明还提供一种闪存存储器，所述闪存存储器包括：

衬底；

位于所述衬底上的多个平行排列的控制栅组，每个所述控制栅组包括两个间隔设置的控制栅，每个所述控制栅包括呈直条形的一个连接部和两个栅极部，所述连接部位于所述两个栅极部之间；