[发明专利]一种银膜制备方法和具有银膜的基板在审

专利信息
申请号: 202111545334.3 申请日: 2021-12-16
公开(公告)号: CN114180857A 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 胡天佐;宫向宇;王哲;吕亮;单明星 申请(专利权)人: 长春博信光电子有限公司
主分类号: C03C17/36 分类号: C03C17/36;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/18;C23C14/30
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张艺
地址: 130012 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 方法 具有
【说明书】:

本申请公开了一种银膜制备方法和具有银膜的基板,包括:当离子源的能量满足预设稳定条件时,在离子源产生的离子束流作用下,在基板的表面蒸镀第一过渡层;当银加热至蒸发点,在离子束流的作用下在第一过渡层的表面蒸镀第一银薄膜;关闭离子源,并在第一银薄膜的表面蒸镀第二银薄膜,得到银膜。基板表面的第一过渡层在离子源产生的离子束流的作用下蒸镀形成,第一过渡层表面的第一银薄膜在离子源产生的离子束流的作用下蒸镀形成,增强第一过渡层与基板之间、第一银薄膜与第一过渡层之间的结合力,由于材料相同,第二银薄膜与第一银薄膜之间结合牢固,提升银膜与基板结合牢固性,且蒸镀第二银薄膜时关闭离子源,可以防止热辐射过大对银膜造成影响。

技术领域

本申请涉及镀膜领域,特别是涉及一种银膜制备方法和具有银膜的基板。

背景技术

金属银在可见光波段以及红外波段具有良好的反射特性,广泛应用在光学系统中的反射镜上。由于金属银化学稳定性差,形成的银膜比较软,在与玻璃结合时结合能力较差,在真空镀膜加工中容易发生脱膜,导致银膜使用寿命较低。

目前,为了增强银膜与玻璃的结合能力,可以在银膜与玻璃之间设置氧化铝或铬等过渡层,过渡层和银膜一般采用蒸镀的方式形成,蒸镀形成的过渡层与玻璃的结合能力、银膜与过渡层的结合能力仍然较弱,都不可避免的还会出现脱膜现象,特别是有灰尘、真空、油气等其它因素影响下。

因此,如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

发明内容

本申请的目的是提供一种银膜制备方法和具有银膜的基板,以提升银膜与基板之间的结合力。

为解决上述技术问题,本申请提供一种银膜制备方法,包括:

当离子源的能量满足预设稳定条件时,在所述离子源产生的离子束流作用下,在基板的表面蒸镀第一过渡层;

当银加热至蒸发点,在所述离子束流的作用下在所述第一过渡层的表面蒸镀第一银薄膜;

关闭所述离子源,并在所述第一银薄膜的表面蒸镀第二银薄膜,得到银膜。

可选的,所述在所述第一银薄膜的表面蒸镀第二银薄膜之后,还包括:

在所述离子束流的作用下,在所述银膜的表面蒸镀保护层。

可选的,当所述保护层为二氧化硅层时,所述在所述离子束流的作用下,在所述银膜的表面蒸镀保护层之前,还包括:

在所述离子束流的作用下,在所述银膜的表面蒸镀第二过渡层;

相应的,所述在所述银膜的表面蒸镀保护层包括:

在所述第二过渡层的表面蒸镀所述保护层。

可选的,盛放第一过渡层材料的坩埚、盛放银的坩埚、盛放保护层材料的坩埚之间设有未放置材料的空坩埚。

可选的,所述离子源为霍尔离子源、考夫曼离子源、射频离子源、APS离子源中的任一种。

可选的,所述第一过渡层为三氧化二铝层。

可选的,在基板的表面蒸镀第一过渡层之后还包括:

关闭所述离子源,监测真空室的温度;

当所述温度低于预设温度阈值时,对所述银进行加热。

可选的,所述第一银薄膜的厚度在15nm~25nm之间,包括端点值。

可选的,所述在基板的表面蒸镀第一过渡层之前,还包括:

利用所述离子束流轰击所述基板的表面,以去除所述基板的表面的杂质。

本申请还提供一种具有银膜的基板,所述银膜采用上述任一种所述的银膜制备方法制得。

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