[发明专利]一种银膜制备方法和具有银膜的基板

权利要求书

1.一种银膜制备方法，其特征在于，包括：

当离子源的能量满足预设稳定条件时，在所述离子源产生的离子束流作用下，在基板的表面蒸镀第一过渡层；

当银加热至蒸发点，在所述离子束流的作用下在所述第一过渡层的表面蒸镀第一银薄膜；

关闭所述离子源，并在所述第一银薄膜的表面蒸镀第二银薄膜，得到银膜。

2.如权利要求1所述的银膜制备方法，其特征在于，所述在所述第一银薄膜的表面蒸镀第二银薄膜之后，还包括：

在所述离子束流的作用下，在所述银膜的表面蒸镀保护层。

3.如权利要求2所述的银膜制备方法，其特征在于，当所述保护层为二氧化硅层时，所述在所述离子束流的作用下，在所述银膜的表面蒸镀保护层之前，还包括：

在所述离子束流的作用下，在所述银膜的表面蒸镀第二过渡层；

相应的，所述在所述银膜的表面蒸镀保护层包括：

在所述第二过渡层的表面蒸镀所述保护层。

4.如权利要求3所述的银膜制备方法，其特征在于，盛放第一过渡层材料的坩埚、盛放银的坩埚、盛放保护层材料的坩埚之间设有未放置材料的空坩埚。

5.如权利要求1所述的银膜制备方法，其特征在于，所述离子源为霍尔离子源、考夫曼离子源、射频离子源、APS离子源中的任一种。

6.如权利要求1所述的银膜制备方法，其特征在于，所述第一过渡层为三氧化二铝层。

7.如权利要求1所述的银膜制备方法，其特征在于，在基板的表面蒸镀第一过渡层之后还包括：

关闭所述离子源，监测真空室的温度；

当所述温度低于预设温度阈值时，对所述银进行加热。

8.如权利要求1所述的银膜制备方法，其特征在于，所述第一银薄膜的厚度在15nm～25nm之间，包括端点值。

9.如权利要求1至8任一项所述的银膜制备方法，其特征在于，所述在基板的表面蒸镀第一过渡层之前，还包括：

利用所述离子束流轰击所述基板的表面，以去除所述基板的表面的杂质。

10.一种具有银膜的基板，其特征在于，所述银膜采用如权利要求1至9任一项所述的银膜制备方法制得。