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[发明专利]用于中远红外薄膜制备的混合镀膜材料及中远红外薄膜-CN202310859373.3在审
发明人：单明星;宫向宇;王哲;于洋;胡天佐 -专利权人：长春博信光电子有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于中远红外薄膜制备的混合镀膜材料。与现有技术相比，本发明利用熔点差异，达到使用电子束蒸发过程中下方的材料先熔化呈液态状态，而上方的材料不融化，将熔化方式改变为从下到上，起到了同钼舟熔化材料的同样效果，达到了有效防止熔化过程中出现气泡导致材料喷溅的可能，以便得到熔化状态良好的材料，并且在蒸发过程中也一定程度的降低了材料溅射到基板上的风险；另外使用该混合镀膜材料，也能够一定程度的提升抗激光损伤能力，还能降低混合材料成膜后的整体应力，从而在制备多层膜的时候，不易发生因应力过大而导致的脱膜，裂膜现象，能够形成更稳定的薄膜。
用于红外薄膜制备混合镀膜材料

[实用新型]一种长尺工装-CN202221733454.6有效
发明人：胡天佐;单明星;王哲;宫向宇;于洋 -专利权人：长春博信光电子有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种长尺工装，包括相对布置的两个夹持体，每个夹持体由上至下分别开设有第一插槽和第二插槽，同一夹持体上的第一插槽和第二插槽相互平行布置，两个夹持体上的第一插槽相互之间相对布置并处于同一水平高度，且两个夹持体上的第二插槽相互之间相对布置并处于同一水平高度，两个第二插槽之间插装有待镀的良品长尺，两个第一插槽之间插装有与良品长尺产品尺寸相同的不良品或者废品。本实用新型，降低了提高洁净度所需的成本，结构设计简单实用，方便生产，安装高效快速，在消除斑点的同时，保护第一面的镀膜表面不受损伤。
一种工装

[发明专利]一种提高ITO薄膜电阻值的方法-CN202111543418.3在审
发明人：胡天佐;宫向宇;王哲;路程;单明星 -专利权人：长春博信光电子有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种提高ITO薄膜电阻值的方法，包括将置于真空镀膜机中的待提高电阻值的ITO薄膜在第一预设真空条件下加热至预设温度；在第二预设真空条件下，利用离子源对氧气进行离子化处理；当离子源的能量满足预设稳定条件时，利用离子氧轰击待提高电阻值的ITO薄膜，使离子氧与待提高电阻值的ITO薄膜发生二次反应，得到电阻值提高的ITO薄膜。本申请中利用离子源对氧气进行离子化处理形成的离子氧轰击加热状态下的待提高电阻值的ITO薄膜，使离子氧与待提高电阻值的ITO薄膜发生二次反应，提升待提高电阻值的ITO薄膜内氧含量，电阻率增大，且膜厚基本不变，所以电阻值增大，且对光谱的影响降低，提高电阻值的处理效率提高。
一种提高 ito 薄膜阻值方法

[发明专利]一种银膜制备方法和具有银膜的基板-CN202111545334.3在审
发明人：胡天佐;宫向宇;王哲;吕亮;单明星 -专利权人：长春博信光电子有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种银膜制备方法和具有银膜的基板，包括：当离子源的能量满足预设稳定条件时，在离子源产生的离子束流作用下，在基板的表面蒸镀第一过渡层；当银加热至蒸发点，在离子束流的作用下在第一过渡层的表面蒸镀第一银薄膜；关闭离子源，并在第一银薄膜的表面蒸镀第二银薄膜，得到银膜。基板表面的第一过渡层在离子源产生的离子束流的作用下蒸镀形成，第一过渡层表面的第一银薄膜在离子源产生的离子束流的作用下蒸镀形成，增强第一过渡层与基板之间、第一银薄膜与第一过渡层之间的结合力，由于材料相同，第二银薄膜与第一银薄膜之间结合牢固，提升银膜与基板结合牢固性，且蒸镀第二银薄膜时关闭离子源，可以防止热辐射过大对银膜造成影响。
一种制备方法具有